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N-Channel Power MOSFET 80A to 99A, Infineon
Infineon's range of diskrete HEXFET® power MOSFETs includes N-channel devices in surface mount and leaded packages and form factors that can address almost any board layout and thermal design challenge. Across the range benchmark on resistance drives down conduction losses, allowing designers to deliver optimum system efficiency.

Brand/Series	HEXFET Series
Capacitance, Input	3820 pF @ 25 V
Channel Mode	Enhancement
Channel Type	N
Configuration	Single
Current, Drain	82 A
Dimensions	10.67 x 4.83 x 16.51 mm
Gate Charge, Total	160 nC
Height	0.65" (16.51mm)
Length	0.42" (10.67mm)
Mounting Type	Surface Mount
Number of Elements per Chip	1
Number of Pins	3
Package Type	TO-220AB
Polarization	N-Channel
Power Dissipation	230 W
Resistance, Drain to Source On	13 mΩ
Temperature, Operating, Maximum	+175 °C
Temperature, Operating, Minimum	-55 °C
Temperature, Operating, Range	-55 to +175 °C
Time, Turn-Off Delay	49 ns
Time, Turn-On Delay	13 ns
Transconductance, Forward	38 S
Typical Gate Charge @ Vgs	160 nC @ 10 V
Voltage, Breakdown, Drain to Source	75 V
Voltage, Drain to Source	75 V
Voltage, Forward, Diode	1.2 V
Voltage, Gate to Source	± 20 V
Width	0.19" (4.83mm)
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• Amphenol Industrial
  CONNECTOR, CABLE CONNECTING RECEPTACLE W/CABLE CLAMP, SIZE 14, 18#20 SOLDER PIN CON
  
  型号：PT01A-14-18P(SR)
  仓库库存编号：70010771
  
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• Eaton - Cutler Hammer
  Contact Block For Use With N(S)1(-4) Series, NZM1(-4) Series, PN1(-4) Series
  
  型号：M22-K01
  仓库库存编号：70057788
  
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• TE Connectivity
  Contact, Pin, MATE-N-LOK, 20-14 AWG, Brass
  
  型号：60620-1
  仓库库存编号：70083250
  
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• TE Connectivity
  Contact, Socket, MATE-N-LOK, 20-14 AWG, Brass
  
  型号：60619-1
  仓库库存编号：70083251
  
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• Amphenol Industrial
  connector accessory, cable clamp with rubber bushing, size 20, 22, olive drab
  
  型号：97-3057-1012-1
  仓库库存编号：70143260
  
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Brand/Series HEXFET Series  International Rectifier Brand/Series HEXFET Series  MOSFET Transistors Brand/Series HEXFET Series  International Rectifier MOSFET Transistors Brand/Series HEXFET Series   Capacitance, Input 3820 pF @ 25 V  International Rectifier Capacitance, Input 3820 pF @ 25 V  MOSFET Transistors Capacitance, Input 3820 pF @ 25 V  International Rectifier MOSFET Transistors Capacitance, Input 3820 pF @ 25 V   Channel Mode Enhancement  International Rectifier Channel Mode Enhancement  MOSFET Transistors Channel Mode Enhancement  International Rectifier MOSFET Transistors Channel Mode Enhancement   Channel Type N  International Rectifier Channel Type N  MOSFET Transistors Channel Type N  International Rectifier MOSFET Transistors Channel Type N   Configuration Single  International Rectifier Configuration Single  MOSFET Transistors Configuration Single  International Rectifier MOSFET Transistors Configuration Single   Current, Drain 82 A  International Rectifier Current, Drain 82 A  MOSFET Transistors Current, Drain 82 A  International Rectifier MOSFET Transistors Current, Drain 82 A   Dimensions 10.67 x 4.83 x 16.51 mm  International Rectifier Dimensions 10.67 x 4.83 x 16.51 mm  MOSFET Transistors Dimensions 10.67 x 4.83 x 16.51 mm  International Rectifier MOSFET Transistors Dimensions 10.67 x 4.83 x 16.51 mm   Gate Charge, Total 160 nC  International Rectifier Gate Charge, Total 160 nC  MOSFET Transistors Gate Charge, Total 160 nC  International Rectifier MOSFET Transistors Gate Charge, Total 160 nC   Height 0.65" (16.51mm)  International Rectifier Height 0.65" (16.51mm)  MOSFET Transistors Height 0.65" (16.51mm)  International Rectifier MOSFET Transistors Height 0.65" (16.51mm)   Length 0.42" (10.67mm)  International Rectifier Length 0.42" (10.67mm)  MOSFET Transistors Length 0.42" (10.67mm)  International Rectifier MOSFET Transistors Length 0.42" (10.67mm)   Mounting Type Surface Mount  International Rectifier Mounting Type Surface Mount  MOSFET Transistors Mounting Type Surface Mount  International Rectifier MOSFET Transistors Mounting Type Surface Mount   Number of Elements per Chip 1  International Rectifier Number of Elements per Chip 1  MOSFET Transistors Number of Elements per Chip 1  International Rectifier MOSFET Transistors Number of Elements per Chip 1   Number of Pins 3  International Rectifier Number of Pins 3  MOSFET Transistors Number of Pins 3  International Rectifier MOSFET Transistors Number of Pins 3   Package Type TO-220AB  International Rectifier Package Type TO-220AB  MOSFET Transistors Package Type TO-220AB  International Rectifier MOSFET Transistors Package Type TO-220AB   Polarization N-Channel  International Rectifier Polarization N-Channel  MOSFET Transistors Polarization N-Channel  International Rectifier MOSFET Transistors Polarization N-Channel   Power Dissipation 230 W  International Rectifier Power Dissipation 230 W  MOSFET Transistors Power Dissipation 230 W  International Rectifier MOSFET Transistors Power Dissipation 230 W   Resistance, Drain to Source On 13 mΩ  International Rectifier Resistance, Drain to Source On 13 mΩ  MOSFET Transistors Resistance, Drain to Source On 13 mΩ  International Rectifier MOSFET Transistors Resistance, Drain to Source On 13 mΩ   Temperature, Operating, Maximum +175 °C  International Rectifier Temperature, Operating, Maximum +175 °C  MOSFET Transistors Temperature, Operating, Maximum +175 °C  International Rectifier MOSFET Transistors Temperature, Operating, Maximum +175 °C   Temperature, Operating, Minimum -55 °C  International Rectifier Temperature, Operating, Minimum -55 °C  MOSFET Transistors Temperature, Operating, Minimum -55 °C  International Rectifier MOSFET Transistors Temperature, Operating, Minimum -55 °C   Temperature, Operating, Range -55 to +175 °C  International Rectifier Temperature, Operating, Range -55 to +175 °C  MOSFET Transistors Temperature, Operating, Range -55 to +175 °C  International Rectifier MOSFET Transistors Temperature, Operating, Range -55 to +175 °C   Time, Turn-Off Delay 49 ns  International Rectifier Time, Turn-Off Delay 49 ns  MOSFET Transistors Time, Turn-Off Delay 49 ns  International Rectifier MOSFET Transistors Time, Turn-Off Delay 49 ns   Time, Turn-On Delay 13 ns  International Rectifier Time, Turn-On Delay 13 ns  MOSFET Transistors Time, Turn-On Delay 13 ns  International Rectifier MOSFET Transistors Time, Turn-On Delay 13 ns   Transconductance, Forward 38 S  International Rectifier Transconductance, Forward 38 S  MOSFET Transistors Transconductance, Forward 38 S  International Rectifier MOSFET Transistors Transconductance, Forward 38 S   Typical Gate Charge @ Vgs 160 nC @ 10 V  International Rectifier Typical Gate Charge @ Vgs 160 nC @ 10 V  MOSFET Transistors Typical Gate Charge @ Vgs 160 nC @ 10 V  International Rectifier MOSFET Transistors Typical Gate Charge @ Vgs 160 nC @ 10 V   Voltage, Breakdown, Drain to Source 75 V  International Rectifier Voltage, Breakdown, Drain to Source 75 V  MOSFET Transistors Voltage, Breakdown, Drain to Source 75 V  International Rectifier MOSFET Transistors Voltage, Breakdown, Drain to Source 75 V   Voltage, Drain to Source 75 V  International Rectifier Voltage, Drain to Source 75 V  MOSFET Transistors Voltage, Drain to Source 75 V  International Rectifier MOSFET Transistors Voltage, Drain to Source 75 V   Voltage, Forward, Diode 1.2 V  International Rectifier Voltage, Forward, Diode 1.2 V  MOSFET Transistors Voltage, Forward, Diode 1.2 V  International Rectifier MOSFET Transistors Voltage, Forward, Diode 1.2 V   Voltage, Gate to Source ± 20 V  International Rectifier Voltage, Gate to Source ± 20 V  MOSFET Transistors Voltage, Gate to Source ± 20 V  International Rectifier MOSFET Transistors Voltage, Gate to Source ± 20 V   Width 0.19" (4.83mm)  International Rectifier Width 0.19" (4.83mm)  MOSFET Transistors Width 0.19" (4.83mm)  International Rectifier MOSFET Transistors Width 0.19" (4.83mm)