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IRF7103TRPBF - 

IRF7103TRPBF Dual N-channel MOSFET Transistor, 3 A, 50 V, 8-Pin SOIC

International Rectifier IRF7103TRPBF
声明:图片仅供参考,请以实物为准!
制造商产品编号:
IRF7103TRPBF
仓库库存编号:
70017405
技术数据表:
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IRF7103TRPBF产品概述

Benefits:
  • Advanced Process Technology
  • Dual N-Channel MOSFET
  • Ultra Low On-Resistance
  • 175°C Operating Temperature
  • Repetitive Avalanche Allowed up to Tjmax
  • Automotive [Q101] Qualified
  • Lead-Free
  • IRF7103TRPBF产品信息

      Brand/Series  HEXFET Series  
      Capacitance, Input  255 pF @ 25 V  
      Channel Mode  Enhancement  
      Channel Type  N  
      Configuration  Dual Drain  
      Current, Drain  3 A  
      Dimensions  5.00 x 4.00 x 1.50 mm  
      Gate Charge, Total  10 nC  
      Height  0.059" (1.5mm)  
      Length  0.196" (5mm)  
      Mounting Type  Surface Mount  
      Number of Elements per Chip  2  
      Number of Pins  8  
      Package Type  SO-8  
      Polarization  N-Channel  
      Power Dissipation  2.4 W  
      Resistance, Drain to Source On  200 mΩ  
      Temperature, Operating  -55 to 150 °C  
      Temperature, Operating, Maximum  +175 °C  
      Temperature, Operating, Minimum  -55 °C  
      Temperature, Operating, Range  -55 to +175 °C  
      Thermal Resistance, Junction to Ambient  50 °C/W  
      Time, Turn-Off Delay  15 ns  
      Time, Turn-On Delay  5.1 ns  
      Transconductance, Forward  3.4 S  
      Typical Gate Charge @ Vgs  10 nC @ 10 V  
      Voltage, Breakdown, Drain to Source  50 V  
      Voltage, Drain to Source  50 V  
      Voltage, Forward, Diode  1.2 V  
      Voltage, Gate to Source  ±20 V  
      Width  0.157" (4mm)  
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Rectifier Current, Drain 3 A  MOSFET Transistors Current, Drain 3 A  International Rectifier MOSFET Transistors Current, Drain 3 A   Dimensions 5.00 x 4.00 x 1.50 mm  International Rectifier Dimensions 5.00 x 4.00 x 1.50 mm  MOSFET Transistors Dimensions 5.00 x 4.00 x 1.50 mm  International Rectifier MOSFET Transistors Dimensions 5.00 x 4.00 x 1.50 mm   Gate Charge, Total 10 nC  International Rectifier Gate Charge, Total 10 nC  MOSFET Transistors Gate Charge, Total 10 nC  International Rectifier MOSFET Transistors Gate Charge, Total 10 nC   Height 0.059" (1.5mm)  International Rectifier Height 0.059" (1.5mm)  MOSFET Transistors Height 0.059" (1.5mm)  International Rectifier MOSFET Transistors Height 0.059" (1.5mm)   Length 0.196" (5mm)  International Rectifier Length 0.196" (5mm)  MOSFET Transistors Length 0.196" (5mm)  International Rectifier MOSFET Transistors Length 0.196" (5mm)   Mounting Type Surface Mount  International Rectifier Mounting Type Surface Mount  MOSFET Transistors Mounting Type Surface Mount  International Rectifier MOSFET Transistors Mounting Type Surface Mount   Number of Elements per Chip 2  International Rectifier Number of Elements per Chip 2  MOSFET Transistors Number of Elements per Chip 2  International Rectifier MOSFET Transistors Number of Elements per Chip 2   Number of Pins 8  International Rectifier Number of Pins 8  MOSFET Transistors Number of Pins 8  International Rectifier MOSFET Transistors Number of Pins 8   Package Type SO-8  International Rectifier Package Type SO-8  MOSFET Transistors Package Type SO-8  International Rectifier MOSFET Transistors Package Type SO-8   Polarization N-Channel  International Rectifier Polarization N-Channel  MOSFET Transistors Polarization N-Channel  International Rectifier MOSFET Transistors Polarization N-Channel   Power Dissipation 2.4 W  International Rectifier Power Dissipation 2.4 W  MOSFET Transistors Power Dissipation 2.4 W  International Rectifier MOSFET Transistors Power Dissipation 2.4 W   Resistance, Drain to Source On 200 mΩ  International Rectifier Resistance, Drain to Source On 200 mΩ  MOSFET Transistors Resistance, Drain to Source On 200 mΩ  International Rectifier MOSFET Transistors Resistance, Drain to Source On 200 mΩ   Temperature, Operating -55 to 150 °C  International Rectifier Temperature, Operating -55 to 150 °C  MOSFET Transistors Temperature, Operating -55 to 150 °C  International Rectifier MOSFET Transistors Temperature, Operating -55 to 150 °C   Temperature, Operating, Maximum +175 °C  International Rectifier Temperature, Operating, Maximum +175 °C  MOSFET Transistors Temperature, Operating, Maximum +175 °C  International Rectifier MOSFET Transistors Temperature, Operating, Maximum +175 °C   Temperature, Operating, Minimum -55 °C  International Rectifier Temperature, Operating, Minimum -55 °C  MOSFET Transistors Temperature, Operating, Minimum -55 °C  International Rectifier MOSFET Transistors Temperature, Operating, Minimum -55 °C   Temperature, Operating, Range -55 to +175 °C  International Rectifier Temperature, Operating, Range -55 to +175 °C  MOSFET Transistors Temperature, Operating, Range -55 to +175 °C  International Rectifier MOSFET Transistors Temperature, Operating, Range -55 to +175 °C   Thermal Resistance, Junction to Ambient 50 °C/W  International Rectifier Thermal Resistance, Junction to Ambient 50 °C/W  MOSFET Transistors Thermal Resistance, Junction to Ambient 50 °C/W  International Rectifier MOSFET Transistors Thermal Resistance, Junction to Ambient 50 °C/W   Time, Turn-Off Delay 15 ns  International Rectifier Time, Turn-Off Delay 15 ns  MOSFET Transistors Time, Turn-Off Delay 15 ns  International Rectifier MOSFET Transistors Time, Turn-Off Delay 15 ns   Time, Turn-On Delay 5.1 ns  International Rectifier Time, Turn-On Delay 5.1 ns  MOSFET Transistors Time, Turn-On Delay 5.1 ns  International Rectifier MOSFET Transistors Time, Turn-On Delay 5.1 ns   Transconductance, Forward 3.4 S  International 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Forward, Diode 1.2 V  International Rectifier MOSFET Transistors Voltage, Forward, Diode 1.2 V   Voltage, Gate to Source ±20 V  International Rectifier Voltage, Gate to Source ±20 V  MOSFET Transistors Voltage, Gate to Source ±20 V  International Rectifier MOSFET Transistors Voltage, Gate to Source ±20 V   Width 0.157" (4mm)  International Rectifier Width 0.157" (4mm)  MOSFET Transistors Width 0.157" (4mm)  International Rectifier MOSFET Transistors Width 0.157" (4mm)  
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