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IRF7104PBF - 

IRF7104PBF Dual P-channel MOSFET Transistor, 2.3 A, 20 V, 8-Pin SOIC

International Rectifier IRF7104PBF
声明:图片仅供参考,请以实物为准!
制造商产品编号:
IRF7104PBF
仓库库存编号:
70016976
技术数据表:
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IRF7104PBF产品概述

  • Advanced Process Technology
  • Ultra Low On-Resistance
  • Dual P-Channel MOSFET
  • Surface Mount
  • Available in Tape and Reel
  • Dynamic dv/dt Rating
  • Fast Switching
  • Lead-Free
  • IRF7104PBF产品信息

      Brand/Series  HEXFET Series  
      Capacitance, Input  290 pF @ -15 V  
      Channel Mode  Enhancement  
      Channel Type  P  
      Configuration  Dual Source, Quad Drain  
      Current, Drain  -2.3 A  
      Dimensions  5.00 x 4.00 x 1.50 mm  
      Gate Charge, Total  9.3 nC  
      Height  0.059" (1.5mm)  
      Length  0.196" (5mm)  
      Mounting Type  Surface Mount  
      Number of Elements per Chip  2  
      Number of Pins  8  
      Package Type  SO-8  
      Polarization  P-Channel  
      Power Dissipation  2 W  
      Resistance, Drain to Source On  0.4 Ω  
      Temperature, Operating  -55 to 150 °C  
      Temperature, Operating, Maximum  +150 °C  
      Temperature, Operating, Minimum  -55 °C  
      Temperature, Operating, Range  -55 to +150 °C  
      Thermal Resistance, Junction to Ambient  62.5 °C/W  
      Time, Turn-Off Delay  42 ns  
      Time, Turn-On Delay  12 ns  
      Transconductance, Forward  2.5 S  
      Typical Gate Charge @ Vgs  9.3 nC @ -10 V  
      Voltage, Breakdown, Drain to Source  -20 V  
      Voltage, Drain to Source  -20 V  
      Voltage, Forward, Diode  -1.2 V  
      Voltage, Gate to Source  ±12 V  
      Width  0.157" (4mm)  
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Source, Quad Drain   Current, Drain -2.3 A  International Rectifier Current, Drain -2.3 A  MOSFET Transistors Current, Drain -2.3 A  International Rectifier MOSFET Transistors Current, Drain -2.3 A   Dimensions 5.00 x 4.00 x 1.50 mm  International Rectifier Dimensions 5.00 x 4.00 x 1.50 mm  MOSFET Transistors Dimensions 5.00 x 4.00 x 1.50 mm  International Rectifier MOSFET Transistors Dimensions 5.00 x 4.00 x 1.50 mm   Gate Charge, Total 9.3 nC  International Rectifier Gate Charge, Total 9.3 nC  MOSFET Transistors Gate Charge, Total 9.3 nC  International Rectifier MOSFET Transistors Gate Charge, Total 9.3 nC   Height 0.059" (1.5mm)  International Rectifier Height 0.059" (1.5mm)  MOSFET Transistors Height 0.059" (1.5mm)  International Rectifier MOSFET Transistors Height 0.059" (1.5mm)   Length 0.196" (5mm)  International Rectifier Length 0.196" (5mm)  MOSFET Transistors Length 0.196" (5mm)  International Rectifier MOSFET Transistors Length 0.196" (5mm)   Mounting Type Surface Mount  International Rectifier Mounting Type Surface Mount  MOSFET Transistors Mounting Type Surface Mount  International Rectifier MOSFET Transistors Mounting Type Surface Mount   Number of Elements per Chip 2  International Rectifier Number of Elements per Chip 2  MOSFET Transistors Number of Elements per Chip 2  International Rectifier MOSFET Transistors Number of Elements per Chip 2   Number of Pins 8  International Rectifier Number of Pins 8  MOSFET Transistors Number of Pins 8  International Rectifier MOSFET Transistors Number of Pins 8   Package Type SO-8  International Rectifier Package Type SO-8  MOSFET Transistors Package Type SO-8  International Rectifier MOSFET Transistors Package Type SO-8   Polarization P-Channel  International Rectifier Polarization P-Channel  MOSFET Transistors Polarization P-Channel  International Rectifier MOSFET Transistors Polarization P-Channel   Power Dissipation 2 W  International Rectifier Power Dissipation 2 W  MOSFET Transistors Power Dissipation 2 W  International Rectifier MOSFET Transistors Power Dissipation 2 W   Resistance, Drain to Source On 0.4 Ω  International Rectifier Resistance, Drain to Source On 0.4 Ω  MOSFET Transistors Resistance, Drain to Source On 0.4 Ω  International Rectifier MOSFET Transistors Resistance, Drain to Source On 0.4 Ω   Temperature, Operating -55 to 150 °C  International Rectifier Temperature, Operating -55 to 150 °C  MOSFET Transistors Temperature, Operating -55 to 150 °C  International Rectifier MOSFET Transistors Temperature, Operating -55 to 150 °C   Temperature, Operating, Maximum +150 °C  International Rectifier Temperature, Operating, Maximum +150 °C  MOSFET Transistors Temperature, Operating, Maximum +150 °C  International Rectifier MOSFET Transistors Temperature, Operating, Maximum +150 °C   Temperature, Operating, Minimum -55 °C  International Rectifier Temperature, Operating, Minimum -55 °C  MOSFET Transistors Temperature, Operating, Minimum -55 °C  International Rectifier MOSFET Transistors Temperature, Operating, Minimum -55 °C   Temperature, Operating, Range -55 to +150 °C  International Rectifier Temperature, Operating, Range -55 to +150 °C  MOSFET Transistors Temperature, Operating, Range -55 to +150 °C  International Rectifier MOSFET Transistors Temperature, Operating, Range -55 to +150 °C   Thermal Resistance, Junction to Ambient 62.5 °C/W  International Rectifier Thermal Resistance, Junction to Ambient 62.5 °C/W  MOSFET Transistors Thermal Resistance, Junction to Ambient 62.5 °C/W  International Rectifier MOSFET Transistors Thermal Resistance, Junction to Ambient 62.5 °C/W   Time, Turn-Off Delay 42 ns  International Rectifier Time, Turn-Off Delay 42 ns  MOSFET Transistors Time, Turn-Off Delay 42 ns  International Rectifier MOSFET Transistors Time, Turn-Off Delay 42 ns   Time, Turn-On Delay 12 ns  International Rectifier Time, Turn-On Delay 12 ns  MOSFET Transistors Time, Turn-On Delay 12 ns  International Rectifier MOSFET Transistors Time, Turn-On Delay 12 ns   Transconductance, Forward 2.5 S  International Rectifier Transconductance, Forward 2.5 S  MOSFET Transistors Transconductance, Forward 2.5 S  International Rectifier MOSFET Transistors Transconductance, Forward 2.5 S   Typical Gate Charge @ Vgs 9.3 nC @ -10 V  International Rectifier Typical Gate Charge @ Vgs 9.3 nC @ -10 V  MOSFET Transistors Typical Gate Charge @ Vgs 9.3 nC @ -10 V  International Rectifier MOSFET Transistors Typical Gate Charge @ Vgs 9.3 nC @ -10 V   Voltage, Breakdown, Drain to Source -20 V  International Rectifier Voltage, Breakdown, Drain to Source -20 V  MOSFET Transistors Voltage, Breakdown, Drain to Source -20 V  International Rectifier MOSFET Transistors Voltage, Breakdown, Drain to Source -20 V   Voltage, Drain to Source -20 V  International Rectifier Voltage, Drain to Source -20 V  MOSFET Transistors Voltage, Drain to Source -20 V  International Rectifier MOSFET Transistors Voltage, Drain to Source -20 V   Voltage, 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