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IRF7832PBF - 

MOSFET, Power; N-Ch; VDSS 30V; RDS(ON) 3.1Milliohms; ID 20A; SO-8; PD 2.5W; VGS +/-20V

International Rectifier IRF7832PBF
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制造商产品编号:
IRF7832PBF
仓库库存编号:
70017453
技术数据表:
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IRF7832PBF产品概述

N-Channel Power MOSFET 20A to 29A, Infineon
Infineon's range of diskrete HEXFET® power MOSFETs includes N-channel devices in surface mount and leaded packages and form factors that can address almost any board layout and thermal design challenge. Across the range benchmark on resistance drives down conduction losses, allowing designers to deliver optimum system efficiency.

IRF7832PBF产品信息

  Brand/Series  HEXFET Series  
  Capacitance, Input  4310 pF @ 15 V  
  Channel Mode  Enhancement  
  Channel Type  N  
  Configuration  Quad Drain, Triple Source  
  Current, Drain  20 A  
  Dimensions  5.00 x 4.00 x 1.50 mm  
  Gate Charge, Total  34 nC  
  Height  0.059" (1.5mm)  
  Length  0.196" (5mm)  
  Mounting Type  Surface Mount  
  Number of Elements per Chip  1  
  Number of Pins  8  
  Package Type  SO-8  
  Polarization  N-Channel  
  Power Dissipation  2.5 W  
  Resistance, Drain to Source On  4.8 mΩ  
  Temperature, Operating, Maximum  +155 °C  
  Temperature, Operating, Minimum  -55 °C  
  Temperature, Operating, Range  -55 to +155 °C  
  Time, Turn-Off Delay  21 ns  
  Time, Turn-On Delay  12 ns  
  Transconductance, Forward  77 S  
  Typical Gate Charge @ Vgs  34 nC @ 4.5 V  
  Voltage, Breakdown, Drain to Source  30 V  
  Voltage, Drain to Source  30 V  
  Voltage, Forward, Diode  1 V  
  Voltage, Gate to Source  ±20 V  
  Width  0.157" (4mm)  
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Drain, Triple Source   Current, Drain 20 A  International Rectifier Current, Drain 20 A  MOSFET Transistors Current, Drain 20 A  International Rectifier MOSFET Transistors Current, Drain 20 A   Dimensions 5.00 x 4.00 x 1.50 mm  International Rectifier Dimensions 5.00 x 4.00 x 1.50 mm  MOSFET Transistors Dimensions 5.00 x 4.00 x 1.50 mm  International Rectifier MOSFET Transistors Dimensions 5.00 x 4.00 x 1.50 mm   Gate Charge, Total 34 nC  International Rectifier Gate Charge, Total 34 nC  MOSFET Transistors Gate Charge, Total 34 nC  International Rectifier MOSFET Transistors Gate Charge, Total 34 nC   Height 0.059" (1.5mm)  International Rectifier Height 0.059" (1.5mm)  MOSFET Transistors Height 0.059" (1.5mm)  International Rectifier MOSFET Transistors Height 0.059" (1.5mm)   Length 0.196" (5mm)  International Rectifier Length 0.196" (5mm)  MOSFET Transistors Length 0.196" (5mm)  International Rectifier MOSFET Transistors Length 0.196" (5mm)   Mounting Type Surface Mount  International 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