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Applications:

Dual SO-8 MOSFET for POL converters in desktop, servers, graphics cards, game consoles and set-top box





Features:

Very Low RDS(on) at 4.5V VGS

Ultra-Low Gate Impedance

Fully Characterized Avalanche Voltage and Current

20V VGS Max. Gate Rating

Brand/Series	HEXFET Series
Current, Drain	10 A
Gate Charge, Total	7.4 nC
Package Type	SO-8
Polarization	N-Channel
Power Dissipation	2 W
Resistance, Drain to Source On	0.0134 Ohms
Temperature, Operating	-55 to 150 °C
Thermal Resistance, Junction to Ambient	62.5 °C/W
Time, Turn-Off Delay	9.7 ns
Time, Turn-On Delay	6.2 ns
Transconductance, Forward	24 S
Type	Dual Power
Voltage, Breakdown, Drain to Source	20 V
Voltage, Forward, Diode	1 V
Voltage, Gate to Source	±20 V
关键词

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