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IRF9310PBF - 

IRF9310PBF P-channel MOSFET Transistor, 20 A, 30 V, 8-Pin SOIC

International Rectifier IRF9310PBF
声明:图片仅供参考,请以实物为准!
制造商产品编号:
IRF9310PBF
仓库库存编号:
70019233
技术数据表:
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IRF9310PBF产品概述

P-Channel Power MOSFET over 8A, Infineon
Infineon's range of diskrete HEXFET® power MOSFETs includes P-channel devices in surface mount and leaded packages and form factors that can address almost any board layout and thermal design challenge. Across the range benchmark on resistance drives down conduction losses, allowing designers to deliver optimum system efficiency.

IRF9310PBF产品信息

  Brand/Series  HEXFET Series  
  Capacitance, Input  5250 pF @ -15 V  
  Channel Mode  Enhancement  
  Channel Type  P  
  Configuration  Quad Drain, Triple Source  
  Current, Drain  -20 A  
  Dimensions  5.00 x 4.00 x 1.50 mm  
  Gate Charge, Total  58 nC  
  Height  0.059" (1.5mm)  
  Length  0.196" (5mm)  
  Mounting Type  Surface Mount  
  Number of Elements per Chip  1  
  Number of Pins  8  
  Package Type  SO-8  
  Polarization  P-Channel  
  Power Dissipation  2.5 W  
  Resistance, Drain to Source On  6.8 mΩ  
  Temperature, Operating  -55 to 150 °C  
  Temperature, Operating, Maximum  +150 °C  
  Temperature, Operating, Minimum  -55 °C  
  Temperature, Operating, Range  -55 to +150 °C  
  Thermal Resistance, Junction to Ambient  50 °C/W  
  Time, Turn-Off Delay  65 ns  
  Time, Turn-On Delay  25 ns  
  Transconductance, Forward  39 S  
  Typical Gate Charge @ Vgs  110 nC @ -15 V, 58 nC @ -4.5 V  
  Voltage, Breakdown, Drain to Source  -30 V  
  Voltage, Drain to Source  -30 V  
  Voltage, Forward, Diode  -1.2 V  
  Voltage, Gate to Source  ±20 V  
  Width  0.157" (4mm)  
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Drain, Triple Source   Current, Drain -20 A  International Rectifier Current, Drain -20 A  MOSFET Transistors Current, Drain -20 A  International Rectifier MOSFET Transistors Current, Drain -20 A   Dimensions 5.00 x 4.00 x 1.50 mm  International Rectifier Dimensions 5.00 x 4.00 x 1.50 mm  MOSFET Transistors Dimensions 5.00 x 4.00 x 1.50 mm  International Rectifier MOSFET Transistors Dimensions 5.00 x 4.00 x 1.50 mm   Gate Charge, Total 58 nC  International Rectifier Gate Charge, Total 58 nC  MOSFET Transistors Gate Charge, Total 58 nC  International Rectifier MOSFET Transistors Gate Charge, Total 58 nC   Height 0.059" (1.5mm)  International Rectifier Height 0.059" (1.5mm)  MOSFET Transistors Height 0.059" (1.5mm)  International Rectifier MOSFET Transistors Height 0.059" (1.5mm)   Length 0.196" (5mm)  International Rectifier Length 0.196" (5mm)  MOSFET Transistors Length 0.196" (5mm)  International Rectifier MOSFET Transistors Length 0.196" (5mm)   Mounting Type Surface 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