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IRF9530NPBF - 

MOSFET, Power; P-Ch; VDSS -100V; RDS(ON) 0.2Ohm; ID -14A; TO-220AB; PD 79W; VGS +/-20V

International Rectifier IRF9530NPBF
声明：图片仅供参考，请以实物为准！
制造商产品编号：
IRF9530NPBF
仓库库存编号：
70017011
技术数据表：
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订购热线： 400-900-3095  0755-21000796, QQ:800152669, Email:sales@szcwdz.com
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IRF9530NPBF产品概述

P-Channel Power MOSFET over 8A, Infineon
Infineon's range of diskrete HEXFET® power MOSFETs includes P-channel devices in surface mount and leaded packages and form factors that can address almost any board layout and thermal design challenge. Across the range benchmark on resistance drives down conduction losses, allowing designers to deliver optimum system efficiency.

IRF9530NPBF产品信息

  Brand/Series  HEXFET Series  
  Capacitance, Input  760 pF @ -25 V  
  Channel Mode  Enhancement  
  Channel Type  P  
  Configuration  Single  
  Current, Drain  -10 A  
  Dimensions  10.54 x 4.69 x 15.24 mm  
  Gate Charge, Total  58 nC  
  Height  0.6" (15.24mm)  
  Length  0.414" (10.54mm)  
  Mounting Type  Through Hole  
  Number of Elements per Chip  1  
  Number of Pins  3  
  Package Type  TO-220AB  
  Polarization  P-Channel  
  Power Dissipation  79 W  
  Resistance, Drain to Source On  0.2 Ω  
  Temperature, Operating, Maximum  +175 °C  
  Temperature, Operating, Minimum  -55 °C  
  Temperature, Operating, Range  -55 to +175 °C  
  Time, Turn-Off Delay  45 ns  
  Time, Turn-On Delay  15 ns  
  Transconductance, Forward  3.2 S  
  Typical Gate Charge @ Vgs  Maximum of 58 nC @ -10 V  
  Voltage, Breakdown, Drain to Source  -100 V  
  Voltage, Drain to Source  -100 V  
  Voltage, Forward, Diode  -1.6 V  
  Voltage, Gate to Source  ±20 V  
  Width  0.185" (4.69mm)  
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Drain -10 A  MOSFET Transistors Current, Drain -10 A  International Rectifier MOSFET Transistors Current, Drain -10 A   Dimensions 10.54 x 4.69 x 15.24 mm  International Rectifier Dimensions 10.54 x 4.69 x 15.24 mm  MOSFET Transistors Dimensions 10.54 x 4.69 x 15.24 mm  International Rectifier MOSFET Transistors Dimensions 10.54 x 4.69 x 15.24 mm   Gate Charge, Total 58 nC  International Rectifier Gate Charge, Total 58 nC  MOSFET Transistors Gate Charge, Total 58 nC  International Rectifier MOSFET Transistors Gate Charge, Total 58 nC   Height 0.6" (15.24mm)  International Rectifier Height 0.6" (15.24mm)  MOSFET Transistors Height 0.6" (15.24mm)  International Rectifier MOSFET Transistors Height 0.6" (15.24mm)   Length 0.414" (10.54mm)  International Rectifier Length 0.414" (10.54mm)  MOSFET Transistors Length 0.414" (10.54mm)  International Rectifier MOSFET Transistors Length 0.414" (10.54mm)   Mounting Type Through Hole  International Rectifier Mounting Type Through Hole  MOSFET Transistors Mounting Type Through Hole  International Rectifier MOSFET Transistors Mounting Type Through Hole   Number of Elements per Chip 1  International Rectifier Number of Elements per Chip 1  MOSFET Transistors Number of Elements per Chip 1  International Rectifier MOSFET Transistors Number of Elements per Chip 1   Number of Pins 3  International Rectifier Number of Pins 3  MOSFET Transistors Number of Pins 3  International Rectifier MOSFET Transistors Number of Pins 3   Package Type TO-220AB  International Rectifier Package Type TO-220AB  MOSFET Transistors Package Type TO-220AB  International Rectifier MOSFET Transistors Package Type TO-220AB   Polarization P-Channel  International Rectifier Polarization P-Channel  MOSFET Transistors Polarization P-Channel  International Rectifier MOSFET Transistors Polarization P-Channel   Power Dissipation 79 W  International Rectifier Power Dissipation 79 W  MOSFET Transistors Power Dissipation 79 W  International Rectifier MOSFET 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(4.69mm)  International Rectifier MOSFET Transistors Width 0.185" (4.69mm)  
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