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IRFB4310PBF - 

MOSFET, Power; N-Ch; VDSS 100V; RDS(ON) 5.6 Milliohms; ID 130A; TO-220AB; PD 300W

International Rectifier IRFB4310PBF
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制造商产品编号:
IRFB4310PBF
仓库库存编号:
70017020
技术数据表:
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IRFB4310PBF产品信息

  Brand/Series  HEXFET Series  
  Channel Mode  Enhancement  
  Channel Type  N  
  Configuration  Single  
  Current, Drain  130 A  
  Dimensions  10.66 x 4.82 x 9.02 mm  
  Gate Charge, Total  170 nC  
  Length  0.419" (10.66mm)  
  Mounting Type  Through Hole  
  Number of Elements per Chip  1  
  Number of Pins  3  
  Package Type  TO-220AB  
  Polarization  N-Channel  
  Power Dissipation  300 W  
  Resistance, Drain to Source On  7 mΩ  
  Temperature, Operating, Maximum  +175 °C  
  Temperature, Operating, Minimum  -55 °C  
  Time, Turn-Off Delay  68 ns  
  Time, Turn-On Delay  26 ns  
  Transconductance, Forward  160 S  
  Typical Gate Charge @ Vgs  170 nC @ 10 V  
  Voltage, Breakdown, Drain to Source  100 V  
  Voltage, Drain to Source  100 V  
  Voltage, Forward, Diode  1.3 V  
  Voltage, Gate to Source  ±20 V  
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Transistors Dimensions 10.66 x 4.82 x 9.02 mm  International Rectifier MOSFET Transistors Dimensions 10.66 x 4.82 x 9.02 mm   Gate Charge, Total 170 nC  International Rectifier Gate Charge, Total 170 nC  MOSFET Transistors Gate Charge, Total 170 nC  International Rectifier MOSFET Transistors Gate Charge, Total 170 nC   Length 0.419" (10.66mm)  International Rectifier Length 0.419" (10.66mm)  MOSFET Transistors Length 0.419" (10.66mm)  International Rectifier MOSFET Transistors Length 0.419" (10.66mm)   Mounting Type Through Hole  International Rectifier Mounting Type Through Hole  MOSFET Transistors Mounting Type Through Hole  International Rectifier MOSFET Transistors Mounting Type Through Hole   Number of Elements per Chip 1  International Rectifier Number of Elements per Chip 1  MOSFET Transistors Number of Elements per Chip 1  International Rectifier MOSFET Transistors Number of Elements per Chip 1   Number of Pins 3  International Rectifier Number of Pins 3  MOSFET 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Transistors Temperature, Operating, Maximum +175 °C  International Rectifier MOSFET Transistors Temperature, Operating, Maximum +175 °C   Temperature, Operating, Minimum -55 °C  International Rectifier Temperature, Operating, Minimum -55 °C  MOSFET Transistors Temperature, Operating, Minimum -55 °C  International Rectifier MOSFET Transistors Temperature, Operating, Minimum -55 °C   Time, Turn-Off Delay 68 ns  International Rectifier Time, Turn-Off Delay 68 ns  MOSFET Transistors Time, Turn-Off Delay 68 ns  International Rectifier MOSFET Transistors Time, Turn-Off Delay 68 ns   Time, Turn-On Delay 26 ns  International Rectifier Time, Turn-On Delay 26 ns  MOSFET Transistors Time, Turn-On Delay 26 ns  International Rectifier MOSFET Transistors Time, Turn-On Delay 26 ns   Transconductance, Forward 160 S  International Rectifier Transconductance, Forward 160 S  MOSFET Transistors Transconductance, Forward 160 S  International Rectifier MOSFET Transistors Transconductance, Forward 160 S   Typical Gate Charge @ Vgs 170 nC @ 10 V  International Rectifier Typical Gate Charge @ Vgs 170 nC @ 10 V  MOSFET Transistors Typical Gate Charge @ Vgs 170 nC @ 10 V  International Rectifier MOSFET Transistors Typical Gate Charge @ Vgs 170 nC @ 10 V   Voltage, Breakdown, Drain to Source 100 V  International Rectifier Voltage, Breakdown, Drain to Source 100 V  MOSFET Transistors Voltage, Breakdown, Drain to Source 100 V  International Rectifier MOSFET Transistors Voltage, Breakdown, Drain to Source 100 V   Voltage, Drain to Source 100 V  International Rectifier Voltage, Drain to Source 100 V  MOSFET Transistors Voltage, Drain to Source 100 V  International Rectifier MOSFET Transistors Voltage, Drain to Source 100 V   Voltage, Forward, Diode 1.3 V  International Rectifier Voltage, Forward, Diode 1.3 V  MOSFET Transistors Voltage, Forward, Diode 1.3 V  International Rectifier MOSFET Transistors Voltage, Forward, Diode 1.3 V   Voltage, Gate to Source ±20 V  International Rectifier Voltage, Gate to Source ±20 V  MOSFET Transistors Voltage, Gate to Source ±20 V  International Rectifier MOSFET Transistors Voltage, Gate to Source ±20 V  
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