amphenol代理商
专业销售Amphenol(安费诺)全系列产品-英国2号仓库
库存查询
美国1号分类选型新加坡2号分类选型英国10号分类选型英国2号分类选型日本5号分类选型

在本站结果里搜索:    
热门搜索词:  Connectors  8910DPA43V02  Amphenol  UVZSeries 160VDC  70084122  IM21-14-CDTRI

IRFB59N10DPBF - 

MOSFET, Power; N-Ch; VDSS 100V; RDS(ON) 0.025Ohm; ID 59A; TO-220AB; PD 200W; VGS +/-30V

International Rectifier IRFB59N10DPBF
声明:图片仅供参考,请以实物为准!
制造商产品编号:
IRFB59N10DPBF
仓库库存编号:
70017022
技术数据表:
View IRFB59N10DPBF Datasheet Datasheet
订购热线: 400-900-3095  0755-21000796, QQ:800152669, Email:sales@szcwdz.com
由于产品数据库庞大,部分产品信息可能未能及时更新,下单前请与销售人员确认好实时在库数量,谢谢合作!

IRFB59N10DPBF产品信息

  Brand/Series  HEXFET Series  
  Capacitance, Input  2450 pF @ 25 V  
  Channel Mode  Enhancement  
  Channel Type  N  
  Configuration  Dual Drain  
  Current, Drain  59 A  
  Gate Charge, Total  76 nC  
  Height  0.345" (8.77mm)  
  Mounting Type  Through Hole  
  Number of Elements per Chip  1  
  Number of Pins  3  
  Package Type  TO-220AB  
  Polarization  N-Channel  
  Power Dissipation  200 W  
  Resistance, Drain to Source On  0.025 mΩ  
  Temperature, Operating, Minimum  -55 °C  
  Temperature, Operating, Range  -55 to +175 °C  
  Time, Turn-Off Delay  20 ns  
  Time, Turn-On Delay  16 ns  
  Transconductance, Forward  18 S  
  Voltage, Breakdown, Drain to Source  100 V  
  Voltage, Drain to Source  100 V  
  Voltage, Forward, Diode  1.3 V  
  Voltage, Gate to Source  ±30 V  
  Width  0.185" (4.69mm)  
关键词         

IRFB59N10DPBF客户还搜索了

  • 参考图片
  • 制造商 / 说明 / 型号 / 仓库库存编号
  • PDF
  • 操作

IRFB59N10DPBF相关搜索

Brand/Series HEXFET Series  International Rectifier Brand/Series HEXFET Series  MOSFET Transistors Brand/Series HEXFET Series  International Rectifier MOSFET Transistors Brand/Series HEXFET Series   Capacitance, Input 2450 pF @ 25 V  International Rectifier Capacitance, Input 2450 pF @ 25 V  MOSFET Transistors Capacitance, Input 2450 pF @ 25 V  International Rectifier MOSFET Transistors Capacitance, Input 2450 pF @ 25 V   Channel Mode Enhancement  International Rectifier Channel Mode Enhancement  MOSFET Transistors Channel Mode Enhancement  International Rectifier MOSFET Transistors Channel Mode Enhancement   Channel Type N  International Rectifier Channel Type N  MOSFET Transistors Channel Type N  International Rectifier MOSFET Transistors Channel Type N   Configuration Dual Drain  International Rectifier Configuration Dual Drain  MOSFET Transistors Configuration Dual Drain  International Rectifier MOSFET Transistors Configuration Dual Drain   Current, Drain 59 A  International Rectifier Current, Drain 59 A  MOSFET Transistors Current, Drain 59 A  International Rectifier MOSFET Transistors Current, Drain 59 A   Gate Charge, Total 76 nC  International Rectifier Gate Charge, Total 76 nC  MOSFET Transistors Gate Charge, Total 76 nC  International Rectifier MOSFET Transistors Gate Charge, Total 76 nC   Height 0.345" (8.77mm)  International Rectifier Height 0.345" (8.77mm)  MOSFET Transistors Height 0.345" (8.77mm)  International Rectifier MOSFET Transistors Height 0.345" (8.77mm)   Mounting Type Through Hole  International Rectifier Mounting Type Through Hole  MOSFET Transistors Mounting Type Through Hole  International Rectifier MOSFET Transistors Mounting Type Through Hole   Number of Elements per Chip 1  International Rectifier Number of Elements per Chip 1  MOSFET Transistors Number of Elements per Chip 1  International Rectifier MOSFET Transistors Number of Elements per Chip 1   Number of Pins 3  International Rectifier Number of Pins 3  MOSFET Transistors Number of Pins 3  International Rectifier MOSFET Transistors Number of Pins 3   Package Type TO-220AB  International Rectifier Package Type TO-220AB  MOSFET Transistors Package Type TO-220AB  International Rectifier MOSFET Transistors Package Type TO-220AB   Polarization N-Channel  International Rectifier Polarization N-Channel  MOSFET Transistors Polarization N-Channel  International Rectifier MOSFET Transistors Polarization N-Channel   Power Dissipation 200 W  International Rectifier Power Dissipation 200 W  MOSFET Transistors Power Dissipation 200 W  International Rectifier MOSFET Transistors Power Dissipation 200 W   Resistance, Drain to Source On 0.025 mΩ  International Rectifier Resistance, Drain to Source On 0.025 mΩ  MOSFET Transistors Resistance, Drain to Source On 0.025 mΩ  International Rectifier MOSFET Transistors Resistance, Drain to Source On 0.025 mΩ   Temperature, Operating, Minimum -55 °C  International Rectifier Temperature, Operating, Minimum -55 °C  MOSFET Transistors Temperature, Operating, Minimum -55 °C  International Rectifier MOSFET Transistors Temperature, Operating, Minimum -55 °C   Temperature, Operating, Range -55 to +175 °C  International Rectifier Temperature, Operating, Range -55 to +175 °C  MOSFET Transistors Temperature, Operating, Range -55 to +175 °C  International Rectifier MOSFET Transistors Temperature, Operating, Range -55 to +175 °C   Time, Turn-Off Delay 20 ns  International Rectifier Time, Turn-Off Delay 20 ns  MOSFET Transistors Time, Turn-Off Delay 20 ns  International Rectifier MOSFET Transistors Time, Turn-Off Delay 20 ns   Time, Turn-On Delay 16 ns  International Rectifier Time, Turn-On Delay 16 ns  MOSFET Transistors Time, Turn-On Delay 16 ns  International Rectifier MOSFET Transistors Time, Turn-On Delay 16 ns   Transconductance, Forward 18 S  International Rectifier Transconductance, Forward 18 S  MOSFET Transistors Transconductance, Forward 18 S  International Rectifier MOSFET Transistors Transconductance, Forward 18 S   Voltage, Breakdown, Drain to Source 100 V  International Rectifier Voltage, Breakdown, Drain to Source 100 V  MOSFET Transistors Voltage, Breakdown, Drain to Source 100 V  International Rectifier MOSFET Transistors Voltage, Breakdown, Drain to Source 100 V   Voltage, Drain to Source 100 V  International Rectifier Voltage, Drain to Source 100 V  MOSFET Transistors Voltage, Drain to Source 100 V  International Rectifier MOSFET Transistors Voltage, Drain to Source 100 V   Voltage, Forward, Diode 1.3 V  International Rectifier Voltage, Forward, Diode 1.3 V  MOSFET Transistors Voltage, Forward, Diode 1.3 V  International Rectifier MOSFET Transistors Voltage, Forward, Diode 1.3 V   Voltage, Gate to Source ±30 V  International Rectifier Voltage, Gate to Source ±30 V  MOSFET Transistors Voltage, Gate to Source ±30 V  International Rectifier MOSFET Transistors Voltage, Gate to Source ±30 V   Width 0.185" (4.69mm)  International Rectifier Width 0.185" (4.69mm)  MOSFET Transistors Width 0.185" (4.69mm)  International Rectifier MOSFET Transistors Width 0.185" (4.69mm)  
电话:400-900-3095
QQ:800152669
关于我们 | Amphenol简介 | Amphenol产品 | Amphenol产品应用 | Amphenol动态 | 按系列选型 | 按产品规格选型 | Amphenol选型手册 | 付款方式 | 联系我们
Copyright © 2017 www.amphenol-connect.com All Rights Reserved. 技术支持:电子元器件 ICP备案证书号:粤ICP备11103613号