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IRFL024NPBF - 

MOSFET, Power; N-Ch; VDSS 55V; RDS(ON) 0.075Ohm; ID 2.8A; SOT-223; PD 1W; VGS +/-20V

International Rectifier IRFL024NPBF
声明:图片仅供参考,请以实物为准!
制造商产品编号:
IRFL024NPBF
仓库库存编号:
70017598
技术数据表:
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IRFL024NPBF产品概述

HEXFET® N-Channel Power MOSFET up to 50A, Infineon
HEXFET® Power MOSFETs present a variety of rugged single N-channel devices for AC-DC and DC-DC power supplies to audio and consumer electronics, motor control and lighting and home appliances.

IRFL024NPBF产品信息

  Brand/Series  HEXFET Series  
  Capacitance, Input  400 pF @ 25 V  
  Channel Mode  Enhancement  
  Channel Type  N  
  Configuration  Dual Drain  
  Current, Drain  4 A  
  Dimensions  6.70 x 3.70 x 1.45 mm  
  Gate Charge, Total  18.3 nC  
  Height  0.057" (1.45mm)  
  Length  0.263" (6.7mm)  
  Mounting Type  Surface Mount  
  Number of Elements per Chip  1  
  Number of Pins  3  
  Package Type  SOT-223  
  Polarization  N-Channel  
  Power Dissipation  2.1 W  
  Resistance, Drain to Source On  0.075 Ω  
  Temperature, Operating, Maximum  +150 °C  
  Temperature, Operating, Minimum  -55 °C  
  Temperature, Operating, Range  -55 to +150 °C  
  Time, Turn-Off Delay  22.2 ns  
  Time, Turn-On Delay  8.1 ns  
  Transconductance, Forward  3 S  
  Typical Gate Charge @ Vgs  Maximum of 18.3 nC @ 10 V  
  Voltage, Breakdown, Drain to Source  55 V  
  Voltage, Drain to Source  55 V  
  Voltage, Forward, Diode  1 V  
  Voltage, Gate to Source  ±20 V  
  Width  0.146" (3.7mm)  
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Rectifier Current, Drain 4 A  MOSFET Transistors Current, Drain 4 A  International Rectifier MOSFET Transistors Current, Drain 4 A   Dimensions 6.70 x 3.70 x 1.45 mm  International Rectifier Dimensions 6.70 x 3.70 x 1.45 mm  MOSFET Transistors Dimensions 6.70 x 3.70 x 1.45 mm  International Rectifier MOSFET Transistors Dimensions 6.70 x 3.70 x 1.45 mm   Gate Charge, Total 18.3 nC  International Rectifier Gate Charge, Total 18.3 nC  MOSFET Transistors Gate Charge, Total 18.3 nC  International Rectifier MOSFET Transistors Gate Charge, Total 18.3 nC   Height 0.057" (1.45mm)  International Rectifier Height 0.057" (1.45mm)  MOSFET Transistors Height 0.057" (1.45mm)  International Rectifier MOSFET Transistors Height 0.057" (1.45mm)   Length 0.263" (6.7mm)  International Rectifier Length 0.263" (6.7mm)  MOSFET Transistors Length 0.263" (6.7mm)  International Rectifier MOSFET Transistors Length 0.263" (6.7mm)   Mounting Type Surface Mount  International Rectifier Mounting Type Surface Mount  MOSFET Transistors Mounting Type Surface Mount  International Rectifier MOSFET Transistors Mounting Type Surface Mount   Number of Elements per Chip 1  International Rectifier Number of Elements per Chip 1  MOSFET Transistors Number of Elements per Chip 1  International Rectifier MOSFET Transistors Number of Elements per Chip 1   Number of Pins 3  International Rectifier Number of Pins 3  MOSFET Transistors Number of Pins 3  International Rectifier MOSFET Transistors Number of Pins 3   Package Type SOT-223  International Rectifier Package Type SOT-223  MOSFET Transistors Package Type SOT-223  International Rectifier MOSFET Transistors Package Type SOT-223   Polarization N-Channel  International Rectifier Polarization N-Channel  MOSFET Transistors Polarization N-Channel  International Rectifier MOSFET Transistors Polarization N-Channel   Power Dissipation 2.1 W  International Rectifier Power Dissipation 2.1 W  MOSFET Transistors Power Dissipation 2.1 W  International Rectifier MOSFET Transistors Power Dissipation 2.1 W   Resistance, Drain to Source On 0.075 Ω  International Rectifier Resistance, Drain to Source On 0.075 Ω  MOSFET Transistors Resistance, Drain to Source On 0.075 Ω  International Rectifier MOSFET Transistors Resistance, Drain to Source On 0.075 Ω   Temperature, Operating, Maximum +150 °C  International Rectifier Temperature, Operating, Maximum +150 °C  MOSFET Transistors Temperature, Operating, Maximum +150 °C  International Rectifier MOSFET Transistors Temperature, Operating, Maximum +150 °C   Temperature, Operating, Minimum -55 °C  International Rectifier Temperature, Operating, Minimum -55 °C  MOSFET Transistors Temperature, Operating, Minimum -55 °C  International Rectifier MOSFET Transistors Temperature, Operating, Minimum -55 °C   Temperature, Operating, Range -55 to +150 °C  International Rectifier Temperature, Operating, Range -55 to +150 °C  MOSFET Transistors Temperature, Operating, Range -55 to +150 °C  International Rectifier MOSFET Transistors Temperature, Operating, Range -55 to +150 °C   Time, Turn-Off Delay 22.2 ns  International Rectifier Time, Turn-Off Delay 22.2 ns  MOSFET Transistors Time, Turn-Off Delay 22.2 ns  International Rectifier MOSFET Transistors Time, Turn-Off Delay 22.2 ns   Time, Turn-On Delay 8.1 ns  International Rectifier Time, Turn-On Delay 8.1 ns  MOSFET Transistors Time, Turn-On Delay 8.1 ns  International Rectifier MOSFET Transistors Time, Turn-On Delay 8.1 ns   Transconductance, Forward 3 S  International Rectifier Transconductance, Forward 3 S  MOSFET Transistors Transconductance, Forward 3 S  International Rectifier MOSFET Transistors Transconductance, Forward 3 S   Typical Gate Charge @ Vgs Maximum of 18.3 nC @ 10 V  International Rectifier Typical Gate Charge @ Vgs Maximum of 18.3 nC @ 10 V  MOSFET Transistors Typical Gate Charge @ Vgs Maximum of 18.3 nC @ 10 V  International Rectifier MOSFET Transistors Typical Gate Charge @ Vgs Maximum of 18.3 nC @ 10 V   Voltage, 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