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IRFP048NPBF - 

MOSFET, Power; N-Ch; VDSS 55V; RDS(ON) 0.016Ohm; ID 64A; TO-247AC; PD 140W; VGS +/-20V

International Rectifier IRFP048NPBF
声明：图片仅供参考，请以实物为准！
制造商产品编号：
IRFP048NPBF
仓库库存编号：
70017234
技术数据表：
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订购热线： 400-900-3095  0755-21000796, QQ:800152669, Email:sales@szcwdz.com
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IRFP048NPBF产品概述

N-Channel Power MOSFET 60A to 79A, Infineon
Infineon's range of diskrete HEXFET® power MOSFETs includes N-channel devices in surface mount and leaded packages and form factors that can address almost any board layout and thermal design challenge. Across the range benchmark on resistance drives down conduction losses, allowing designers to deliver optimum system efficiency.

IRFP048NPBF产品信息

  Brand/Series  HEXFET Series  
  Capacitance, Input  1900 pF @ 25 V  
  Channel Mode  Enhancement  
  Channel Type  N  
  Configuration  Single  
  Current, Drain  64 A  
  Dimensions  15.87 x 5.31 x 20.70 mm  
  Gate Charge, Total  89 nC  
  Height  0.815" (20.7mm)  
  Length  0.625" <5/8> (15.875mm)  
  Mounting Type  Through Hole  
  Number of Elements per Chip  1  
  Number of Pins  3  
  Package Type  TO-247AC  
  Polarization  N-Channel  
  Power Dissipation  140 W  
  Resistance, Drain to Source On  0.016 Ω  
  Temperature, Operating, Maximum  +175 °C  
  Temperature, Operating, Minimum  -55 °C  
  Temperature, Operating, Range  -55 to +175 °C  
  Time, Turn-Off Delay  32 ns  
  Time, Turn-On Delay  11 ns  
  Transconductance, Forward  22 sec  
  Typical Gate Charge @ Vgs  Maximum of 89 nC @ 10 V  
  Voltage, Breakdown, Drain to Source  55 V  
  Voltage, Drain to Source  55 V  
  Voltage, Forward, Diode  1.3 V  
  Voltage, Gate to Source  ± 20 V  
  Width  0.209" (5.31mm)  
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Drain 64 A  MOSFET Transistors Current, Drain 64 A  International Rectifier MOSFET Transistors Current, Drain 64 A   Dimensions 15.87 x 5.31 x 20.70 mm  International Rectifier Dimensions 15.87 x 5.31 x 20.70 mm  MOSFET Transistors Dimensions 15.87 x 5.31 x 20.70 mm  International Rectifier MOSFET Transistors Dimensions 15.87 x 5.31 x 20.70 mm   Gate Charge, Total 89 nC  International Rectifier Gate Charge, Total 89 nC  MOSFET Transistors Gate Charge, Total 89 nC  International Rectifier MOSFET Transistors Gate Charge, Total 89 nC   Height 0.815" (20.7mm)  International Rectifier Height 0.815" (20.7mm)  MOSFET Transistors Height 0.815" (20.7mm)  International Rectifier MOSFET Transistors Height 0.815" (20.7mm)   Length 0.625" <5/8> (15.875mm)  International Rectifier Length 0.625" <5/8> (15.875mm)  MOSFET Transistors Length 0.625" <5/8> (15.875mm)  International Rectifier MOSFET Transistors Length 0.625" <5/8> (15.875mm)   Mounting Type Through Hole  International Rectifier Mounting Type Through Hole  MOSFET Transistors Mounting Type Through Hole  International Rectifier MOSFET Transistors Mounting Type Through Hole   Number of Elements per Chip 1  International Rectifier Number of Elements per Chip 1  MOSFET Transistors Number of Elements per Chip 1  International Rectifier MOSFET Transistors Number of Elements per Chip 1   Number of Pins 3  International Rectifier Number of Pins 3  MOSFET Transistors Number of Pins 3  International Rectifier MOSFET Transistors Number of Pins 3   Package Type TO-247AC  International Rectifier Package Type TO-247AC  MOSFET Transistors Package Type TO-247AC  International Rectifier MOSFET Transistors Package Type TO-247AC   Polarization N-Channel  International Rectifier Polarization N-Channel  MOSFET Transistors Polarization N-Channel  International Rectifier MOSFET Transistors Polarization N-Channel   Power Dissipation 140 W  International Rectifier Power Dissipation 140 W  MOSFET Transistors Power Dissipation 140 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(5.31mm)  International Rectifier MOSFET Transistors Width 0.209" (5.31mm)  
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