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IRFP3415PBF - 

MOSFET, Power; N-Ch; VDSS 150V; RDS(ON) 0.042Ohm; ID 43A; TO-247AC; PD 200W; VGS +/-20V

International Rectifier IRFP3415PBF
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制造商产品编号:
IRFP3415PBF
仓库库存编号:
70017601
技术数据表:
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IRFP3415PBF产品概述

HEXFET® N-Channel Power MOSFET up to 50A, Infineon
HEXFET® Power MOSFETs present a variety of rugged single N-channel devices for AC-DC and DC-DC power supplies to audio and consumer electronics, motor control and lighting and home appliances.

IRFP3415PBF产品信息

  Brand/Series  HEXFET Series  
  Capacitance, Input  2400 pF @ 25 V  
  Channel Mode  Enhancement  
  Channel Type  N  
  Configuration  Single  
  Current, Drain  43 A  
  Dimensions  15.87 x 5.31 x 20.70 mm  
  Gate Charge, Total  200 nC  
  Height  0.815" (20.7mm)  
  Length  0.625" <5/8> (15.875mm)  
  Mounting Type  Through Hole  
  Number of Elements per Chip  1  
  Number of Pins  3  
  Package Type  TO-247AC  
  Polarization  N-Channel  
  Power Dissipation  200 W  
  Resistance, Drain to Source On  0.042 Ω  
  Resistance, Thermal, Junction to Case  0.75 °C/W  
  Temperature, Operating, Maximum  +175 °C  
  Temperature, Operating, Minimum  -55 °C  
  Temperature, Operating, Range  -55 to +175 °C  
  Time, Turn-Off Delay  71 ns  
  Time, Turn-On Delay  12 ns  
  Transconductance, Forward  19 S  
  Typical Gate Charge @ Vgs  Maximum of 200 nC @ 10 V  
  Voltage, Breakdown, Drain to Source  150 V  
  Voltage, Drain to Source  150 V  
  Voltage, Forward, Diode  1.3 V  
  Voltage, Gate to Source  ± 20 V  
  Width  0.209" (5.31mm)  
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Drain 43 A  MOSFET Transistors Current, Drain 43 A  International Rectifier MOSFET Transistors Current, Drain 43 A   Dimensions 15.87 x 5.31 x 20.70 mm  International Rectifier Dimensions 15.87 x 5.31 x 20.70 mm  MOSFET Transistors Dimensions 15.87 x 5.31 x 20.70 mm  International Rectifier MOSFET Transistors Dimensions 15.87 x 5.31 x 20.70 mm   Gate Charge, Total 200 nC  International Rectifier Gate Charge, Total 200 nC  MOSFET Transistors Gate Charge, Total 200 nC  International Rectifier MOSFET Transistors Gate Charge, Total 200 nC   Height 0.815" (20.7mm)  International Rectifier Height 0.815" (20.7mm)  MOSFET Transistors Height 0.815" (20.7mm)  International Rectifier MOSFET Transistors Height 0.815" (20.7mm)   Length 0.625" <5/8> (15.875mm)  International Rectifier Length 0.625" <5/8> (15.875mm)  MOSFET Transistors Length 0.625" <5/8> (15.875mm)  International Rectifier MOSFET Transistors Length 0.625" <5/8> (15.875mm)   Mounting Type Through Hole  International Rectifier Mounting Type Through Hole  MOSFET Transistors Mounting Type Through Hole  International Rectifier MOSFET Transistors Mounting Type Through Hole   Number of Elements per Chip 1  International Rectifier Number of Elements per Chip 1  MOSFET Transistors Number of Elements per Chip 1  International Rectifier MOSFET Transistors Number of Elements per Chip 1   Number of Pins 3  International Rectifier Number of Pins 3  MOSFET Transistors Number of Pins 3  International Rectifier MOSFET Transistors Number of Pins 3   Package Type TO-247AC  International Rectifier Package Type TO-247AC  MOSFET Transistors Package Type TO-247AC  International Rectifier MOSFET Transistors Package Type TO-247AC   Polarization N-Channel  International Rectifier Polarization N-Channel  MOSFET Transistors Polarization N-Channel  International Rectifier MOSFET Transistors Polarization N-Channel   Power Dissipation 200 W  International Rectifier Power Dissipation 200 W  MOSFET Transistors Power Dissipation 200 W  International Rectifier MOSFET Transistors Power Dissipation 200 W   Resistance, Drain to Source On 0.042 Ω  International Rectifier Resistance, Drain to Source On 0.042 Ω  MOSFET Transistors Resistance, Drain to Source On 0.042 Ω  International Rectifier MOSFET Transistors Resistance, Drain to Source On 0.042 Ω   Resistance, Thermal, Junction to Case 0.75 °C/W  International Rectifier Resistance, Thermal, Junction to Case 0.75 °C/W  MOSFET Transistors Resistance, Thermal, Junction to Case 0.75 °C/W  International Rectifier MOSFET Transistors Resistance, Thermal, Junction to Case 0.75 °C/W   Temperature, Operating, Maximum +175 °C  International Rectifier Temperature, Operating, Maximum +175 °C  MOSFET Transistors Temperature, Operating, Maximum +175 °C  International Rectifier MOSFET Transistors Temperature, Operating, Maximum +175 °C   Temperature, Operating, Minimum -55 °C  International Rectifier Temperature, Operating, Minimum -55 °C  MOSFET Transistors Temperature, Operating, Minimum -55 °C  International Rectifier MOSFET Transistors Temperature, Operating, Minimum -55 °C   Temperature, Operating, Range -55 to +175 °C  International Rectifier Temperature, Operating, Range -55 to +175 °C  MOSFET Transistors Temperature, Operating, Range -55 to +175 °C  International Rectifier MOSFET Transistors Temperature, Operating, Range -55 to +175 °C   Time, Turn-Off Delay 71 ns  International Rectifier Time, Turn-Off Delay 71 ns  MOSFET Transistors Time, Turn-Off Delay 71 ns  International Rectifier MOSFET Transistors Time, Turn-Off Delay 71 ns   Time, Turn-On Delay 12 ns  International Rectifier Time, Turn-On Delay 12 ns  MOSFET Transistors Time, Turn-On Delay 12 ns  International Rectifier MOSFET Transistors Time, Turn-On Delay 12 ns   Transconductance, Forward 19 S  International Rectifier Transconductance, Forward 19 S  MOSFET Transistors Transconductance, Forward 19 S  International Rectifier MOSFET Transistors Transconductance, 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