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IRFR9120NTRPBF - 

MOSFET, Power; P-Ch; VDSS -100V; RDS(ON) 0.48Ohm; ID -6.6A; D-Pak (TO-252AA); PD 40W

International Rectifier IRFR9120NTRPBF
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制造商产品编号:
IRFR9120NTRPBF
仓库库存编号:
70017790
技术数据表:
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IRFR9120NTRPBF产品概述

HEXFET® P-Channel Power MOSFETs, Infineon
HEXFET® Power MOSFETs present a variety of rugged single P-channel devices for AC-DC and DC-DC power supplies to audio and consumer electronics, motor control and lighting and home appliances.

IRFR9120NTRPBF产品信息

  Brand/Series  HEXFET Series  
  Capacitance, Input  350 pF @ -25 V  
  Channel Mode  Enhancement  
  Channel Type  P  
  Configuration  Single  
  Current, Drain  -6.6 A  
  Dimensions  6.73 x 6.22 x 2.39 mm  
  Gate Charge, Total  27 nC  
  Length  0.264" (6.73mm)  
  Mounting Type  Surface Mount  
  Number of Elements per Chip  1  
  Number of Pins  3  
  Package Type  DPAK  
  Polarization  P-Channel  
  Power Dissipation  40 W  
  Resistance, Drain to Source On  0.48 Ω  
  Temperature, Operating, Maximum  +150 °C  
  Temperature, Operating, Minimum  -55 °C  
  Time, Turn-Off Delay  28 ns  
  Time, Turn-On Delay  14 ns  
  Typical Gate Charge @ Vgs  Maximum of 27 nC @ -10 V  
  Voltage, Breakdown, Drain to Source  -100 V  
  Voltage, Drain to Source  –100 V  
  Voltage, Forward, Diode  -1.6 V  
  Voltage, Gate to Source  ±20 V  
  Width  0.245" (6.22mm)  
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Drain -6.6 A  MOSFET Transistors Current, Drain -6.6 A  International Rectifier MOSFET Transistors Current, Drain -6.6 A   Dimensions 6.73 x 6.22 x 2.39 mm  International Rectifier Dimensions 6.73 x 6.22 x 2.39 mm  MOSFET Transistors Dimensions 6.73 x 6.22 x 2.39 mm  International Rectifier MOSFET Transistors Dimensions 6.73 x 6.22 x 2.39 mm   Gate Charge, Total 27 nC  International Rectifier Gate Charge, Total 27 nC  MOSFET Transistors Gate Charge, Total 27 nC  International Rectifier MOSFET Transistors Gate Charge, Total 27 nC   Length 0.264" (6.73mm)  International Rectifier Length 0.264" (6.73mm)  MOSFET Transistors Length 0.264" (6.73mm)  International Rectifier MOSFET Transistors Length 0.264" (6.73mm)   Mounting Type Surface Mount  International Rectifier Mounting Type Surface Mount  MOSFET Transistors Mounting Type Surface Mount  International Rectifier MOSFET Transistors Mounting Type Surface Mount   Number of Elements per Chip 1  International Rectifier Number of Elements per Chip 1  MOSFET Transistors Number of Elements per Chip 1  International Rectifier MOSFET Transistors Number of Elements per Chip 1   Number of Pins 3  International Rectifier Number of Pins 3  MOSFET Transistors Number of Pins 3  International Rectifier MOSFET Transistors Number of Pins 3   Package Type DPAK  International Rectifier Package Type DPAK  MOSFET Transistors Package Type DPAK  International Rectifier MOSFET Transistors Package Type DPAK   Polarization P-Channel  International Rectifier Polarization P-Channel  MOSFET Transistors Polarization P-Channel  International Rectifier MOSFET Transistors Polarization P-Channel   Power Dissipation 40 W  International Rectifier Power Dissipation 40 W  MOSFET Transistors Power Dissipation 40 W  International Rectifier MOSFET Transistors Power Dissipation 40 W   Resistance, Drain to Source On 0.48 Ω  International Rectifier Resistance, Drain to Source On 0.48 Ω  MOSFET Transistors Resistance, Drain to Source On 0.48 Ω  International Rectifier MOSFET Transistors Resistance, Drain to Source On 0.48 Ω   Temperature, Operating, Maximum +150 °C  International Rectifier Temperature, Operating, Maximum +150 °C  MOSFET Transistors Temperature, Operating, Maximum +150 °C  International Rectifier MOSFET Transistors Temperature, Operating, Maximum +150 °C   Temperature, Operating, Minimum -55 °C  International Rectifier Temperature, Operating, Minimum -55 °C  MOSFET Transistors Temperature, Operating, Minimum -55 °C  International Rectifier MOSFET Transistors Temperature, Operating, Minimum -55 °C   Time, Turn-Off Delay 28 ns  International Rectifier Time, Turn-Off Delay 28 ns  MOSFET Transistors Time, Turn-Off Delay 28 ns  International Rectifier MOSFET Transistors Time, Turn-Off Delay 28 ns   Time, Turn-On Delay 14 ns  International Rectifier Time, Turn-On Delay 14 ns  MOSFET Transistors Time, Turn-On Delay 14 ns  International Rectifier MOSFET Transistors Time, Turn-On Delay 14 ns   Typical Gate Charge @ Vgs Maximum of 27 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Rectifier Voltage, Gate to Source ±20 V  MOSFET Transistors Voltage, Gate to Source ±20 V  International Rectifier MOSFET Transistors Voltage, Gate to Source ±20 V   Width 0.245" (6.22mm)  International Rectifier Width 0.245" (6.22mm)  MOSFET Transistors Width 0.245" (6.22mm)  International Rectifier MOSFET Transistors Width 0.245" (6.22mm)  
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