关于我们 | 联系我们

库存查询

Brand/Series	HEXFET Series
Capacitance, Input	8850 pF @ 50 V
Channel Mode	Enhancement
Channel Type	N
Configuration	Penta Source
Current, Drain	293 A
Dimensions	10.67 x 9.65 x 4.576 mm
Height	0.18" (4.576mm)
Length	0.42" (10.67mm)
Mounting Type	Surface Mount
Number of Elements per Chip	1
Number of Pins	7
Package Type	D2PAK
Power Dissipation	375 W
Resistance, Drain to Source On	2.1 mΩ
Temperature, Operating, Maximum	+175 °C
Temperature, Operating, Minimum	-55 °C
Temperature, Operating, Range	-55 to +175 °C
Time, Turn-Off Delay	118 ns
Time, Turn-On Delay	14 ns
Transconductance, Forward	290 S
Typical Gate Charge @ Vgs	200 nC @ 10 V
Voltage, Drain to Source	60 V
Voltage, Forward, Diode	1.3 V
Voltage, Gate to Source	± 20 V
Width	0.38" (9.65mm)
关键词

• 参考图片
• 制造商 / 说明 / 型号 / 仓库库存编号
• PDF
• 操作

• 
  
• Siliconix / Vishay
  MOSFET, Power; N-Ch; VDSS 60V; RDS(ON) 0.018Ohm; ID 6A; SO-8; PD 1.7W; VGS +/-20V; gFS 2
  
  型号：SI4850EY-T1-E3
  仓库库存编号：70026070
  
• 
  
  
• 搜索

• 
  
• Siliconix / Vishay
  MOSFET, Power; N-Ch; VDSS 60V; RDS(ON) 0.018Ohm; ID 6A; SO-8; PD 1.7W; VGS +/-20V; gFS 2
  
  型号：SI4850EY-T1-E3
  仓库库存编号：70026070
  
• 
  
  
• 搜索

Brand/Series HEXFET Series  International Rectifier Brand/Series HEXFET Series  MOSFET Transistors Brand/Series HEXFET Series  International Rectifier MOSFET Transistors Brand/Series HEXFET Series   Capacitance, Input 8850 pF @ 50 V  International Rectifier Capacitance, Input 8850 pF @ 50 V  MOSFET Transistors Capacitance, Input 8850 pF @ 50 V  International Rectifier MOSFET Transistors Capacitance, Input 8850 pF @ 50 V   Channel Mode Enhancement  International Rectifier Channel Mode Enhancement  MOSFET Transistors Channel Mode Enhancement  International Rectifier MOSFET Transistors Channel Mode Enhancement   Channel Type N  International Rectifier Channel Type N  MOSFET Transistors Channel Type N  International Rectifier MOSFET Transistors Channel Type N   Configuration Penta Source  International Rectifier Configuration Penta Source  MOSFET Transistors Configuration Penta Source  International Rectifier MOSFET Transistors Configuration Penta Source   Current, Drain 293 A  International Rectifier Current, Drain 293 A  MOSFET Transistors Current, Drain 293 A  International Rectifier MOSFET Transistors Current, Drain 293 A   Dimensions 10.67 x 9.65 x 4.576 mm  International Rectifier Dimensions 10.67 x 9.65 x 4.576 mm  MOSFET Transistors Dimensions 10.67 x 9.65 x 4.576 mm  International Rectifier MOSFET Transistors Dimensions 10.67 x 9.65 x 4.576 mm   Height 0.18" (4.576mm)  International Rectifier Height 0.18" (4.576mm)  MOSFET Transistors Height 0.18" (4.576mm)  International Rectifier MOSFET Transistors Height 0.18" (4.576mm)   Length 0.42" (10.67mm)  International Rectifier Length 0.42" (10.67mm)  MOSFET Transistors Length 0.42" (10.67mm)  International Rectifier MOSFET Transistors Length 0.42" (10.67mm)   Mounting Type Surface Mount  International Rectifier Mounting Type Surface Mount  MOSFET Transistors Mounting Type Surface Mount  International Rectifier MOSFET Transistors Mounting Type Surface Mount   Number of Elements per Chip 1  International Rectifier Number of Elements per Chip 1  MOSFET Transistors Number of Elements per Chip 1  International Rectifier MOSFET Transistors Number of Elements per Chip 1   Number of Pins 7  International Rectifier Number of Pins 7  MOSFET Transistors Number of Pins 7  International Rectifier MOSFET Transistors Number of Pins 7   Package Type D2PAK  International Rectifier Package Type D2PAK  MOSFET Transistors Package Type D2PAK  International Rectifier MOSFET Transistors Package Type D2PAK   Power Dissipation 375 W  International Rectifier Power Dissipation 375 W  MOSFET Transistors Power Dissipation 375 W  International Rectifier MOSFET Transistors Power Dissipation 375 W   Resistance, Drain to Source On 2.1 mΩ  International Rectifier Resistance, Drain to Source On 2.1 mΩ  MOSFET Transistors Resistance, Drain to Source On 2.1 mΩ  International Rectifier MOSFET Transistors Resistance, Drain to Source On 2.1 mΩ   Temperature, Operating, Maximum +175 °C  International Rectifier Temperature, Operating, Maximum +175 °C  MOSFET Transistors Temperature, Operating, Maximum +175 °C  International Rectifier MOSFET Transistors Temperature, Operating, Maximum +175 °C   Temperature, Operating, Minimum -55 °C  International Rectifier Temperature, Operating, Minimum -55 °C  MOSFET Transistors Temperature, Operating, Minimum -55 °C  International Rectifier MOSFET Transistors Temperature, Operating, Minimum -55 °C   Temperature, Operating, Range -55 to +175 °C  International Rectifier Temperature, Operating, Range -55 to +175 °C  MOSFET Transistors Temperature, Operating, Range -55 to +175 °C  International Rectifier MOSFET Transistors Temperature, Operating, Range -55 to +175 °C   Time, Turn-Off Delay 118 ns  International Rectifier Time, Turn-Off Delay 118 ns  MOSFET Transistors Time, Turn-Off Delay 118 ns  International Rectifier MOSFET Transistors Time, Turn-Off Delay 118 ns   Time, Turn-On Delay 14 ns  International Rectifier Time, Turn-On Delay 14 ns  MOSFET Transistors Time, Turn-On Delay 14 ns  International Rectifier MOSFET Transistors Time, Turn-On Delay 14 ns   Transconductance, Forward 290 S  International Rectifier Transconductance, Forward 290 S  MOSFET Transistors Transconductance, Forward 290 S  International Rectifier MOSFET Transistors Transconductance, Forward 290 S   Typical Gate Charge @ Vgs 200 nC @ 10 V  International Rectifier Typical Gate Charge @ Vgs 200 nC @ 10 V  MOSFET Transistors Typical Gate Charge @ Vgs 200 nC @ 10 V  International Rectifier MOSFET Transistors Typical Gate Charge @ Vgs 200 nC @ 10 V   Voltage, Drain to Source 60 V  International Rectifier Voltage, Drain to Source 60 V  MOSFET Transistors Voltage, Drain to Source 60 V  International Rectifier MOSFET Transistors Voltage, Drain to Source 60 V   Voltage, Forward, Diode 1.3 V  International Rectifier Voltage, Forward, Diode 1.3 V  MOSFET Transistors Voltage, Forward, Diode 1.3 V  International Rectifier MOSFET Transistors Voltage, Forward, Diode 1.3 V   Voltage, Gate to Source ± 20 V  International Rectifier Voltage, Gate to Source ± 20 V  MOSFET Transistors Voltage, Gate to Source ± 20 V  International Rectifier MOSFET Transistors Voltage, Gate to Source ± 20 V   Width 0.38" (9.65mm)  International Rectifier Width 0.38" (9.65mm)  MOSFET Transistors Width 0.38" (9.65mm)  International Rectifier MOSFET Transistors Width 0.38" (9.65mm)