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IRL3705ZSPBF - 

MOSFET, Power; N-Ch; VDSS 55V; RDS(ON) 6.5Milliohms; ID 75A; D2Pak; PD 130W; VGS +/-16

International Rectifier IRL3705ZSPBF
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制造商产品编号:
IRL3705ZSPBF
仓库库存编号:
70017243
技术数据表:
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IRL3705ZSPBF产品概述

N-Channel Power MOSFET 80A to 99A, Infineon
Infineon's range of diskrete HEXFET® power MOSFETs includes N-channel devices in surface mount and leaded packages and form factors that can address almost any board layout and thermal design challenge. Across the range benchmark on resistance drives down conduction losses, allowing designers to deliver optimum system efficiency.

IRL3705ZSPBF产品信息

  Brand/Series  HEXFET Series  
  Capacitance, Input  2880 pF @ 25 V  
  Channel Mode  Enhancement  
  Channel Type  N  
  Configuration  Dual Drain  
  Current, Drain  86 A  
  Dimensions  10.67 x 9.65 x 4.83 mm  
  Gate Charge, Total  40 nC  
  Height  0.19" (4.83mm)  
  Length  0.42" (10.67mm)  
  Mounting Type  Surface Mount  
  Number of Elements per Chip  1  
  Number of Pins  3  
  Package Type  D2PAK  
  Polarization  N-Channel  
  Power Dissipation  130 W  
  Resistance, Drain to Source On  12 mΩ  
  Temperature, Operating, Maximum  +175 °C  
  Temperature, Operating, Minimum  -55 °C  
  Temperature, Operating, Range  -55 to +175 °C  
  Time, Turn-Off Delay  26 ns  
  Time, Turn-On Delay  17 ns  
  Transconductance, Forward  150 V  
  Typical Gate Charge @ Vgs  40 nC @ 5 V  
  Voltage, Breakdown, Drain to Source  55 V  
  Voltage, Drain to Source  55 V  
  Voltage, Forward, Diode  1.3 V  
  Voltage, Gate to Source  ±16 V  
  Width  0.38" (9.65mm)  
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Rectifier Current, Drain 86 A  MOSFET Transistors Current, Drain 86 A  International Rectifier MOSFET Transistors Current, Drain 86 A   Dimensions 10.67 x 9.65 x 4.83 mm  International Rectifier Dimensions 10.67 x 9.65 x 4.83 mm  MOSFET Transistors Dimensions 10.67 x 9.65 x 4.83 mm  International Rectifier MOSFET Transistors Dimensions 10.67 x 9.65 x 4.83 mm   Gate Charge, Total 40 nC  International Rectifier Gate Charge, Total 40 nC  MOSFET Transistors Gate Charge, Total 40 nC  International Rectifier MOSFET Transistors Gate Charge, Total 40 nC   Height 0.19" (4.83mm)  International Rectifier Height 0.19" (4.83mm)  MOSFET Transistors Height 0.19" (4.83mm)  International Rectifier MOSFET Transistors Height 0.19" (4.83mm)   Length 0.42" (10.67mm)  International Rectifier Length 0.42" (10.67mm)  MOSFET Transistors Length 0.42" (10.67mm)  International Rectifier MOSFET Transistors Length 0.42" (10.67mm)   Mounting Type Surface Mount  International Rectifier Mounting Type Surface 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