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N-Channel Power MOSFET over 100A, Infineon
The Infineon range of diskrete HEXFET® power MOSFETs includes N-channel devices in surface mount and leaded packages. And form factors that can address almost any board layout and thermal design challenge. Across the range benchmark on resistance drives down conduction losses, allowing designers to deliver optimum system efficiency.

Brand/Series	HEXFET Series
Capacitance, Input	8420 pF @ 15 V
Channel Mode	Enhancement
Channel Type	N
Configuration	Single
Current, Drain	260 A
Dimensions	10.67 x 4.83 x 16.51 mm
Height	0.65" (16.51mm)
Length	0.42" (10.67mm)
Mounting Type	Through Hole
Number of Elements per Chip	1
Number of Pins	3
Package Type	TO-220AB
Power Dissipation	230 W
Resistance, Drain to Source On	2.6 mΩ
Temperature, Operating, Maximum	+175 °C
Temperature, Operating, Minimum	-55 °C
Temperature, Operating, Range	-55 to +175 °C
Time, Turn-Off Delay	33 ns
Time, Turn-On Delay	36 ns
Transconductance, Forward	140 S
Typical Gate Charge @ Vgs	57 nC @ 4.5 V
Voltage, Drain to Source	30 V
Voltage, Forward, Diode	1 V
Voltage, Gate to Source	±20 V
Width	0.19" (4.83mm)
关键词

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Drain 260 A  MOSFET Transistors Current, Drain 260 A  International Rectifier MOSFET Transistors Current, Drain 260 A   Dimensions 10.67 x 4.83 x 16.51 mm  International Rectifier Dimensions 10.67 x 4.83 x 16.51 mm  MOSFET Transistors Dimensions 10.67 x 4.83 x 16.51 mm  International Rectifier MOSFET Transistors Dimensions 10.67 x 4.83 x 16.51 mm   Height 0.65" (16.51mm)  International Rectifier Height 0.65" (16.51mm)  MOSFET Transistors Height 0.65" (16.51mm)  International Rectifier MOSFET Transistors Height 0.65" (16.51mm)   Length 0.42" (10.67mm)  International Rectifier Length 0.42" (10.67mm)  MOSFET Transistors Length 0.42" (10.67mm)  International Rectifier MOSFET Transistors Length 0.42" (10.67mm)   Mounting Type Through Hole  International Rectifier Mounting Type Through Hole  MOSFET Transistors Mounting Type Through Hole  International Rectifier MOSFET Transistors Mounting Type Through Hole   Number of Elements per Chip 1  International Rectifier Number of Elements per Chip 1  MOSFET Transistors Number of Elements per Chip 1  International Rectifier MOSFET Transistors Number of Elements per Chip 1   Number of Pins 3  International Rectifier Number of Pins 3  MOSFET Transistors Number of Pins 3  International Rectifier MOSFET Transistors Number of Pins 3   Package Type TO-220AB  International Rectifier Package Type TO-220AB  MOSFET Transistors Package Type TO-220AB  International Rectifier MOSFET Transistors Package Type TO-220AB   Power Dissipation 230 W  International Rectifier Power Dissipation 230 W  MOSFET Transistors Power Dissipation 230 W  International Rectifier MOSFET Transistors Power Dissipation 230 W   Resistance, Drain to Source On 2.6 mΩ  International Rectifier Resistance, Drain to Source On 2.6 mΩ  MOSFET Transistors Resistance, Drain to Source On 2.6 mΩ  International Rectifier MOSFET Transistors Resistance, Drain to Source On 2.6 mΩ   Temperature, Operating, Maximum +175 °C  International Rectifier Temperature, Operating, Maximum +175 °C  MOSFET Transistors Temperature, Operating, Maximum +175 °C  International Rectifier MOSFET Transistors Temperature, Operating, Maximum +175 °C   Temperature, Operating, Minimum -55 °C  International Rectifier Temperature, Operating, Minimum -55 °C  MOSFET Transistors Temperature, Operating, Minimum -55 °C  International Rectifier MOSFET Transistors Temperature, Operating, Minimum -55 °C   Temperature, Operating, Range -55 to +175 °C  International Rectifier Temperature, Operating, Range -55 to +175 °C  MOSFET Transistors Temperature, Operating, Range -55 to +175 °C  International Rectifier MOSFET Transistors Temperature, Operating, Range -55 to +175 °C   Time, Turn-Off Delay 33 ns  International Rectifier Time, Turn-Off Delay 33 ns  MOSFET Transistors Time, Turn-Off Delay 33 ns  International Rectifier MOSFET Transistors Time, Turn-Off Delay 33 ns   Time, Turn-On Delay 36 ns  International Rectifier Time, Turn-On Delay 36 ns  MOSFET Transistors Time, Turn-On Delay 36 ns  International Rectifier MOSFET Transistors Time, Turn-On Delay 36 ns   Transconductance, Forward 140 S  International Rectifier Transconductance, Forward 140 S  MOSFET Transistors Transconductance, Forward 140 S  International Rectifier MOSFET Transistors Transconductance, Forward 140 S   Typical Gate Charge @ Vgs 57 nC @ 4.5 V  International Rectifier Typical Gate Charge @ Vgs 57 nC @ 4.5 V  MOSFET Transistors Typical Gate Charge @ Vgs 57 nC @ 4.5 V  International Rectifier MOSFET Transistors Typical Gate Charge @ Vgs 57 nC @ 4.5 V   Voltage, Drain to Source 30 V  International Rectifier Voltage, Drain to Source 30 V  MOSFET Transistors Voltage, Drain to Source 30 V  International Rectifier MOSFET Transistors Voltage, Drain to Source 30 V   Voltage, Forward, Diode 1 V  International Rectifier Voltage, Forward, Diode 1 V  MOSFET Transistors Voltage, Forward, Diode 1 V  International Rectifier MOSFET Transistors Voltage, Forward, Diode 1 V   Voltage, Gate to Source ±20 V  International Rectifier Voltage, Gate to Source ±20 V  MOSFET Transistors Voltage, Gate to Source ±20 V  International Rectifier MOSFET Transistors Voltage, Gate to Source ±20 V   Width 0.19" (4.83mm)  International Rectifier Width 0.19" (4.83mm)  MOSFET Transistors Width 0.19" (4.83mm)  International Rectifier MOSFET Transistors Width 0.19" (4.83mm)