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Digital Audio MOSFET, Infineon
Class D amplifiers are fast becoming the preferred solution for professional and home audio and video systems. Infineon offers a comprehensive range that simplify high-efficiency Class D amplifier design.

Brand/Series	HEXFET Series
Capacitance, Input	660 pF @ -50 V
Channel Mode	Enhancement
Channel Type	P
Configuration	Single
Current, Drain	-10 A
Dimensions	10.63 x 4.83 x 16.12 mm
Gate Charge, Total	31 nC
Height	0.635" (16.12mm)
Length	0.418" (10.63mm)
Mounting Type	Through Hole
Number of Elements per Chip	1
Number of Pins	3
Package Type	TO-220
Polarization	P-Channel
Power Dissipation	33 W
Resistance, Drain to Source On	170 mΩ
Temperature, Operating, Maximum	+175 °C
Temperature, Operating, Minimum	-40 °C
Temperature, Operating, Range	-40 to +175 °C
Time, Turn-Off Delay	21 ns
Time, Turn-On Delay	9.5 ns
Transconductance, Forward	5.3 S
Typical Gate Charge @ Vgs	31 nC @ -10 V
Voltage, Breakdown, Drain to Source	-55 V
Voltage, Drain to Source	-55 V
Voltage, Forward, Diode	-1.2 V
Voltage, Gate to Source	± 20 V
Width	0.19" (4.83mm)
关键词

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Drain -10 A  MOSFET Transistors Current, Drain -10 A  International Rectifier MOSFET Transistors Current, Drain -10 A   Dimensions 10.63 x 4.83 x 16.12 mm  International Rectifier Dimensions 10.63 x 4.83 x 16.12 mm  MOSFET Transistors Dimensions 10.63 x 4.83 x 16.12 mm  International Rectifier MOSFET Transistors Dimensions 10.63 x 4.83 x 16.12 mm   Gate Charge, Total 31 nC  International Rectifier Gate Charge, Total 31 nC  MOSFET Transistors Gate Charge, Total 31 nC  International Rectifier MOSFET Transistors Gate Charge, Total 31 nC   Height 0.635" (16.12mm)  International Rectifier Height 0.635" (16.12mm)  MOSFET Transistors Height 0.635" (16.12mm)  International Rectifier MOSFET Transistors Height 0.635" (16.12mm)   Length 0.418" (10.63mm)  International Rectifier Length 0.418" (10.63mm)  MOSFET Transistors Length 0.418" (10.63mm)  International Rectifier MOSFET Transistors Length 0.418" (10.63mm)   Mounting Type Through Hole  International Rectifier Mounting Type Through Hole  MOSFET Transistors Mounting Type Through Hole  International Rectifier MOSFET Transistors Mounting Type Through Hole   Number of Elements per Chip 1  International Rectifier Number of Elements per Chip 1  MOSFET Transistors Number of Elements per Chip 1  International Rectifier MOSFET Transistors Number of Elements per Chip 1   Number of Pins 3  International Rectifier Number of Pins 3  MOSFET Transistors Number of Pins 3  International Rectifier MOSFET Transistors Number of Pins 3   Package Type TO-220  International Rectifier Package Type TO-220  MOSFET Transistors Package Type TO-220  International Rectifier MOSFET Transistors Package Type TO-220   Polarization P-Channel  International Rectifier Polarization P-Channel  MOSFET Transistors Polarization P-Channel  International Rectifier MOSFET Transistors Polarization P-Channel   Power Dissipation 33 W  International Rectifier Power Dissipation 33 W  MOSFET Transistors Power Dissipation 33 W  International Rectifier MOSFET Transistors Power Dissipation 33 W   Resistance, Drain to Source On 170 mΩ  International Rectifier Resistance, Drain to Source On 170 mΩ  MOSFET Transistors Resistance, Drain to Source On 170 mΩ  International Rectifier MOSFET Transistors Resistance, Drain to Source On 170 mΩ   Temperature, Operating, Maximum +175 °C  International Rectifier Temperature, Operating, Maximum +175 °C  MOSFET Transistors Temperature, Operating, Maximum +175 °C  International Rectifier MOSFET Transistors Temperature, Operating, Maximum +175 °C   Temperature, Operating, Minimum -40 °C  International Rectifier Temperature, Operating, Minimum -40 °C  MOSFET Transistors Temperature, Operating, Minimum -40 °C  International Rectifier MOSFET Transistors Temperature, Operating, Minimum -40 °C   Temperature, Operating, Range -40 to +175 °C  International Rectifier Temperature, Operating, Range -40 to +175 °C  MOSFET Transistors Temperature, Operating, Range -40 to +175 °C  International Rectifier MOSFET Transistors Temperature, Operating, Range -40 to +175 °C   Time, Turn-Off Delay 21 ns  International Rectifier Time, Turn-Off Delay 21 ns  MOSFET Transistors Time, Turn-Off Delay 21 ns  International Rectifier MOSFET Transistors Time, Turn-Off Delay 21 ns   Time, Turn-On Delay 9.5 ns  International Rectifier Time, Turn-On Delay 9.5 ns  MOSFET Transistors Time, Turn-On Delay 9.5 ns  International Rectifier MOSFET Transistors Time, Turn-On Delay 9.5 ns   Transconductance, Forward 5.3 S  International Rectifier Transconductance, Forward 5.3 S  MOSFET Transistors Transconductance, Forward 5.3 S  International Rectifier MOSFET Transistors Transconductance, Forward 5.3 S   Typical Gate Charge @ Vgs 31 nC @ -10 V  International Rectifier Typical Gate Charge @ Vgs 31 nC @ -10 V  MOSFET Transistors Typical Gate Charge @ Vgs 31 nC @ -10 V  International Rectifier MOSFET Transistors Typical Gate Charge @ Vgs 31 nC @ -10 V   Voltage, Breakdown, Drain to Source -55 V  International Rectifier Voltage, Breakdown, Drain to Source -55 V  MOSFET Transistors Voltage, Breakdown, Drain to Source -55 V  International Rectifier MOSFET Transistors Voltage, Breakdown, Drain to Source -55 V   Voltage, Drain to Source -55 V  International Rectifier Voltage, Drain to Source -55 V  MOSFET Transistors Voltage, Drain to Source -55 V  International Rectifier MOSFET Transistors Voltage, Drain to Source -55 V   Voltage, Forward, Diode -1.2 V  International Rectifier Voltage, Forward, Diode -1.2 V  MOSFET Transistors Voltage, Forward, Diode -1.2 V  International Rectifier MOSFET Transistors Voltage, Forward, Diode -1.2 V   Voltage, Gate to Source ± 20 V  International Rectifier Voltage, Gate to Source ± 20 V  MOSFET Transistors Voltage, Gate to Source ± 20 V  International Rectifier MOSFET Transistors Voltage, Gate to Source ± 20 V   Width 0.19" (4.83mm)  International Rectifier Width 0.19" (4.83mm)  MOSFET Transistors Width 0.19" (4.83mm)  International Rectifier MOSFET Transistors Width 0.19" (4.83mm)