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Brand/Series	HEXFET Series
Capacitance, Input	3980 pF @ 25 V
Channel Mode	Enhancement
Channel Type	N
Configuration	Dual Drain
Current, Drain	63 A
Dimensions	6.73 x 6.22 x 2.39 mm
Height	0.094" (2.39mm)
Length	0.264" (6.73mm)
Mounting Type	Surface Mount
Number of Elements per Chip	1
Number of Pins	3
Package Type	DPAK
Power Dissipation	140 W
Resistance, Drain to Source On	16 mΩ
Temperature, Operating, Maximum	+175 °C
Temperature, Operating, Minimum	-55 °C
Temperature, Operating, Range	-55 to +175 °C
Time, Turn-Off Delay	33 ns
Time, Turn-On Delay	24 ns
Transconductance, Forward	52 S
Typical Gate Charge @ Vgs	34 nC @ 4.5 V
Voltage, Drain to Source	100 V
Voltage, Forward, Diode	1.3 V
Voltage, Gate to Source	±16 V
Width	0.245" (6.22mm)
关键词

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Rectifier Current, Drain 63 A  MOSFET Transistors Current, Drain 63 A  International Rectifier MOSFET Transistors Current, Drain 63 A   Dimensions 6.73 x 6.22 x 2.39 mm  International Rectifier Dimensions 6.73 x 6.22 x 2.39 mm  MOSFET Transistors Dimensions 6.73 x 6.22 x 2.39 mm  International Rectifier MOSFET Transistors Dimensions 6.73 x 6.22 x 2.39 mm   Height 0.094" (2.39mm)  International Rectifier Height 0.094" (2.39mm)  MOSFET Transistors Height 0.094" (2.39mm)  International Rectifier MOSFET Transistors Height 0.094" (2.39mm)   Length 0.264" (6.73mm)  International Rectifier Length 0.264" (6.73mm)  MOSFET Transistors Length 0.264" (6.73mm)  International Rectifier MOSFET Transistors Length 0.264" (6.73mm)   Mounting Type Surface Mount  International Rectifier Mounting Type Surface Mount  MOSFET Transistors Mounting Type Surface Mount  International Rectifier MOSFET Transistors Mounting Type Surface Mount   Number of Elements per Chip 1  International Rectifier Number of Elements per Chip 1  MOSFET Transistors Number of Elements per Chip 1  International Rectifier MOSFET Transistors Number of Elements per Chip 1   Number of Pins 3  International Rectifier Number of Pins 3  MOSFET Transistors Number of Pins 3  International Rectifier MOSFET Transistors Number of Pins 3   Package Type DPAK  International Rectifier Package Type DPAK  MOSFET Transistors Package Type DPAK  International Rectifier MOSFET Transistors Package Type DPAK   Power Dissipation 140 W  International Rectifier Power Dissipation 140 W  MOSFET Transistors Power Dissipation 140 W  International Rectifier MOSFET Transistors Power Dissipation 140 W   Resistance, Drain to Source On 16 mΩ  International Rectifier Resistance, Drain to Source On 16 mΩ  MOSFET Transistors Resistance, Drain to Source On 16 mΩ  International Rectifier MOSFET Transistors Resistance, Drain to Source On 16 mΩ   Temperature, Operating, Maximum +175 °C  International Rectifier Temperature, Operating, Maximum +175 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V  International Rectifier Voltage, Gate to Source ±16 V  MOSFET Transistors Voltage, Gate to Source ±16 V  International Rectifier MOSFET Transistors Voltage, Gate to Source ±16 V   Width 0.245" (6.22mm)  International Rectifier Width 0.245" (6.22mm)  MOSFET Transistors Width 0.245" (6.22mm)  International Rectifier MOSFET Transistors Width 0.245" (6.22mm)