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IRLZ34NPBF - 

MOSFET, Power; N-Ch; VDSS 55V; RDS(ON) 0.035Ohm; ID 30A; TO-220AB; PD 68W; VGS +/-16V

International Rectifier IRLZ34NPBF
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制造商产品编号:
IRLZ34NPBF
仓库库存编号:
70017120
技术数据表:
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IRLZ34NPBF产品概述

N-Channel Power MOSFET 30A to 39A, Infineon
The Infineon range of diskrete HEXFET® power MOSFETs includes N-channel devices in surface mount and leaded packages. And form factors that can address almost any board layout and thermal design challenge. Across the range benchmark on resistance drives down conduction losses, allowing designers to deliver optimum system efficiency.

IRLZ34NPBF产品信息

  Brand/Series  HEXFET Series  
  Capacitance, Input  880 pF @ 25 V  
  Channel Mode  Enhancement  
  Channel Type  N  
  Configuration  Single  
  Current, Drain  30 A  
  Dimensions  10.54 x 4.69 x 15.24 mm  
  Gate Charge, Total  25 nC  
  Height  0.6" (15.24mm)  
  Length  0.414" (10.54mm)  
  Mounting Type  Through Hole  
  Number of Elements per Chip  1  
  Number of Pins  3  
  Package Type  TO-220AB  
  Polarization  N-Channel  
  Power Dissipation  68 W  
  Resistance, Drain to Source On  0.06 Ω  
  Temperature, Operating, Maximum  +175 °C  
  Temperature, Operating, Minimum  -55 °C  
  Temperature, Operating, Range  -55 to +175 °C  
  Time, Turn-Off Delay  21 ns  
  Time, Turn-On Delay  8.9 ns  
  Transconductance, Forward  11 sec  
  Typical Gate Charge @ Vgs  Maximum of 25 nC @ 5 V  
  Voltage, Breakdown, Drain to Source  55 V  
  Voltage, Drain to Source  55 V  
  Voltage, Forward, Diode  1.3 V  
  Voltage, Gate to Source  ± 16 V  
  Width  0.185" (4.69mm)  
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Drain 30 A  MOSFET Transistors Current, Drain 30 A  International Rectifier MOSFET Transistors Current, Drain 30 A   Dimensions 10.54 x 4.69 x 15.24 mm  International Rectifier Dimensions 10.54 x 4.69 x 15.24 mm  MOSFET Transistors Dimensions 10.54 x 4.69 x 15.24 mm  International Rectifier MOSFET Transistors Dimensions 10.54 x 4.69 x 15.24 mm   Gate Charge, Total 25 nC  International Rectifier Gate Charge, Total 25 nC  MOSFET Transistors Gate Charge, Total 25 nC  International Rectifier MOSFET Transistors Gate Charge, Total 25 nC   Height 0.6" (15.24mm)  International Rectifier Height 0.6" (15.24mm)  MOSFET Transistors Height 0.6" (15.24mm)  International Rectifier MOSFET Transistors Height 0.6" (15.24mm)   Length 0.414" (10.54mm)  International Rectifier Length 0.414" (10.54mm)  MOSFET Transistors Length 0.414" (10.54mm)  International Rectifier MOSFET Transistors Length 0.414" (10.54mm)   Mounting Type Through Hole  International Rectifier Mounting Type Through Hole  MOSFET Transistors Mounting Type Through Hole  International Rectifier MOSFET Transistors Mounting Type Through Hole   Number of Elements per Chip 1  International Rectifier Number of Elements per Chip 1  MOSFET Transistors Number of Elements per Chip 1  International Rectifier MOSFET Transistors Number of Elements per Chip 1   Number of Pins 3  International Rectifier Number of Pins 3  MOSFET Transistors Number of Pins 3  International Rectifier MOSFET Transistors Number of Pins 3   Package Type TO-220AB  International Rectifier Package Type TO-220AB  MOSFET Transistors Package Type TO-220AB  International Rectifier MOSFET Transistors Package Type TO-220AB   Polarization N-Channel  International Rectifier Polarization N-Channel  MOSFET Transistors Polarization N-Channel  International Rectifier MOSFET Transistors Polarization N-Channel   Power Dissipation 68 W  International Rectifier Power Dissipation 68 W  MOSFET Transistors Power Dissipation 68 W  International Rectifier MOSFET 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Rectifier MOSFET Transistors Width 0.185" (4.69mm)  
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