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SI2303BDS-T1-E3 - 

MOSFET; P-Ch; VDSS -30V; RDS(ON) 0.15Ohm; ID -1.49A; TO-236 (SOT-23); PD 0.7W; VGS +/-2

Siliconix / Vishay SI2303BDS-T1-E3
声明:图片仅供参考,请以实物为准!
制造商产品编号:
SI2303BDS-T1-E3
仓库库存编号:
70026096
技术数据表:
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订购热线: 400-900-3095  0755-21000796, QQ:800152669, Email:sales@szcwdz.com
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SI2303BDS-T1-E3产品信息

  Brand/Series  SI23 Series  
  Capacitance, Input  180 pF @ -15 V  
  Channel Mode  Enhancement  
  Channel Type  P  
  Configuration  Single  
  Current, Drain  -1.2 A  
  Dimensions  3.04 x 1.4 x 1.02 mm  
  Gate Charge, Total  4.3 nC  
  Height  0.04" (1.02mm)  
  Length  0.119" (3.04mm)  
  Mounting Type  Surface Mount  
  Number of Elements per Chip  1  
  Number of Pins  3  
  Package Type  TO-236  
  Polarization  P-Channel  
  Power Dissipation  0.7 W  
  Resistance, Drain to Source On  0.38 Ω  
  Temperature, Operating, Maximum  +150 °C  
  Temperature, Operating, Minimum  -55 °C  
  Temperature, Operating, Range  -55 to +150 °C  
  Time, Turn-Off Delay  10 ns  
  Time, Turn-On Delay  55 ns  
  Transconductance, Forward  2 S  
  Typical Gate Charge @ Vgs  4.3 nC @ -15 V  
  Voltage, Breakdown, Drain to Source  -30 V  
  Voltage, Drain to Source  -30 V  
  Voltage, Forward, Diode  -0.85 V  
  Voltage, Gate to Source  ±20 V  
  Width  0.055" (1.4mm)  
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A  Siliconix / Vishay MOSFET Transistors Current, Drain -1.2 A   Dimensions 3.04 x 1.4 x 1.02 mm  Siliconix / Vishay Dimensions 3.04 x 1.4 x 1.02 mm  MOSFET Transistors Dimensions 3.04 x 1.4 x 1.02 mm  Siliconix / Vishay MOSFET Transistors Dimensions 3.04 x 1.4 x 1.02 mm   Gate Charge, Total 4.3 nC  Siliconix / Vishay Gate Charge, Total 4.3 nC  MOSFET Transistors Gate Charge, Total 4.3 nC  Siliconix / Vishay MOSFET Transistors Gate Charge, Total 4.3 nC   Height 0.04" (1.02mm)  Siliconix / Vishay Height 0.04" (1.02mm)  MOSFET Transistors Height 0.04" (1.02mm)  Siliconix / Vishay MOSFET Transistors Height 0.04" (1.02mm)   Length 0.119" (3.04mm)  Siliconix / Vishay Length 0.119" (3.04mm)  MOSFET Transistors Length 0.119" (3.04mm)  Siliconix / Vishay MOSFET Transistors Length 0.119" (3.04mm)   Mounting Type Surface Mount  Siliconix / Vishay Mounting Type Surface Mount  MOSFET Transistors Mounting Type Surface Mount  Siliconix / Vishay MOSFET Transistors Mounting Type Surface Mount   Number of Elements per Chip 1  Siliconix / Vishay Number of Elements per Chip 1  MOSFET Transistors Number of Elements per Chip 1  Siliconix / Vishay MOSFET Transistors Number of Elements per Chip 1   Number of Pins 3  Siliconix / Vishay Number of Pins 3  MOSFET Transistors Number of Pins 3  Siliconix / Vishay MOSFET Transistors Number of Pins 3   Package Type TO-236  Siliconix / Vishay Package Type TO-236  MOSFET Transistors Package Type TO-236  Siliconix / Vishay MOSFET Transistors Package Type TO-236   Polarization P-Channel  Siliconix / Vishay Polarization P-Channel  MOSFET Transistors Polarization P-Channel  Siliconix / Vishay MOSFET Transistors Polarization P-Channel   Power Dissipation 0.7 W  Siliconix / Vishay Power Dissipation 0.7 W  MOSFET Transistors Power Dissipation 0.7 W  Siliconix / Vishay MOSFET Transistors Power Dissipation 0.7 W   Resistance, Drain to Source On 0.38 Ω  Siliconix / Vishay Resistance, Drain to Source On 0.38 Ω  MOSFET Transistors Resistance, Drain to Source On 0.38 Ω  Siliconix / Vishay MOSFET Transistors Resistance, Drain to Source On 0.38 Ω   Temperature, Operating, Maximum +150 °C  Siliconix / Vishay Temperature, Operating, Maximum +150 °C  MOSFET Transistors Temperature, Operating, Maximum +150 °C  Siliconix / Vishay MOSFET Transistors Temperature, Operating, Maximum +150 °C   Temperature, Operating, Minimum -55 °C  Siliconix / Vishay Temperature, Operating, Minimum -55 °C  MOSFET Transistors Temperature, Operating, Minimum -55 °C  Siliconix / Vishay MOSFET Transistors Temperature, Operating, Minimum -55 °C   Temperature, Operating, Range -55 to +150 °C  Siliconix / Vishay Temperature, Operating, Range -55 to +150 °C  MOSFET Transistors Temperature, Operating, Range -55 to +150 °C  Siliconix / Vishay MOSFET Transistors Temperature, Operating, Range -55 to +150 °C   Time, Turn-Off Delay 10 ns  Siliconix / Vishay Time, Turn-Off Delay 10 ns  MOSFET Transistors Time, Turn-Off Delay 10 ns  Siliconix / Vishay MOSFET Transistors Time, Turn-Off Delay 10 ns   Time, Turn-On Delay 55 ns  Siliconix / Vishay Time, Turn-On Delay 55 ns  MOSFET Transistors Time, Turn-On Delay 55 ns  Siliconix / Vishay MOSFET Transistors Time, Turn-On Delay 55 ns   Transconductance, Forward 2 S  Siliconix / Vishay Transconductance, Forward 2 S  MOSFET Transistors Transconductance, Forward 2 S  Siliconix / Vishay MOSFET Transistors Transconductance, Forward 2 S   Typical Gate Charge @ Vgs 4.3 nC @ -15 V  Siliconix / Vishay Typical Gate Charge @ Vgs 4.3 nC @ -15 V  MOSFET Transistors Typical Gate Charge @ Vgs 4.3 nC @ -15 V  Siliconix / Vishay MOSFET Transistors Typical Gate Charge @ Vgs 4.3 nC @ -15 V   Voltage, Breakdown, Drain to Source -30 V  Siliconix / Vishay Voltage, Breakdown, Drain to Source -30 V  MOSFET Transistors Voltage, Breakdown, Drain to Source -30 V  Siliconix / Vishay MOSFET Transistors Voltage, Breakdown, Drain to Source -30 V   Voltage, Drain to Source -30 V  Siliconix / Vishay Voltage, Drain to Source -30 V  MOSFET 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