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SI5402BDC-T1-E3 - 

N-CHANNEL 30-V (D-S) MOSFET

Siliconix / Vishay SI5402BDC-T1-E3
声明:图片仅供参考,请以实物为准!
制造商产品编号:
SI5402BDC-T1-E3
仓库库存编号:
70026241
技术数据表:
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订购热线: 400-900-3095  0755-21000796, QQ:800152669, Email:sales@szcwdz.com
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SI5402BDC-T1-E3产品概述

Features:
  • Halogen-Free Option Available
  • Low-Side Switching
  • Low On-Resistance: 5 Ω
  • Low Threshold: 0.9 V (Typ.)
  • Fast Switching Speed: 35 ns (Typ.)
  • TrenchFET® Power MOSFETs: 1.5 V Rated
  • ESD Protected: 2000 V

    Applications:
  • Drivers: Relays, Solenoids, Lamps, Hammers, Displays, Memories
  • Battery Operated Systems
  • Power Supply Converter Circuits
  • Load/Power Switching Cell Phones, Pagers
  • SI5402BDC-T1-E3产品信息

      Brand/Series  SI54 Series  
      Channel Mode  Enhancement  
      Channel Type  N  
      Configuration  Hex Drain  
      Current, Drain  4.9 A  
      Dimensions  3.1 x 1.7 x 1.1 mm  
      Height  0.043" (1.1mm)  
      Length  0.122" (3.1mm)  
      Mounting Type  Surface Mount  
      Number of Elements per Chip  1  
      Number of Pins  8  
      Package Type  1206-8 ChipFET  
      Power Dissipation  1.3 W  
      Resistance, Drain to Source On  0.042 Ω  
      Temperature, Operating, Maximum  +150 °C  
      Temperature, Operating, Minimum  -55 °C  
      Temperature, Operating, Range  -55 to +150 °C  
      Time, Turn-Off Delay  27 ns  
      Time, Turn-On Delay  10 ns  
      Transconductance, Forward  19 S  
      Typical Gate Charge @ Vgs  10 nC @ 10 V  
      Voltage, Drain to Source  30 V  
      Voltage, Forward, Diode  1.2 V  
      Voltage, Gate to Source  ±20 V  
      Width  0.067" (1.7mm)  
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