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SI9945AEY-T1-E3 - 

MOSFET, Power; Dual N; 60 V; + 20 V; 2.4 W; SO-8; 75 A (Continuous); -55 degC

Siliconix / Vishay SI9945AEY-T1-E3
声明：图片仅供参考，请以实物为准！
制造商产品编号：
SI9945AEY-T1-E3
仓库库存编号：
70026077
技术数据表：
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SI9945AEY-T1-E3产品概述

Features:
  • TrenchFET® Power MOSFETs
  • Maximum Junction Temperature: 175°C Rated

    • SI9945AEY-T1-E3产品信息

      Brand/Series  SI99 Series  
      Current, Drain  ±3.7 A  
      Gate Charge, Total  11 nC  
      Package Type  SO-8  
      Polarization  N-Channel  
      Power Dissipation  2.4 W  
      Resistance, Drain to Source On  0.08 Ohms  
      Temperature, Operating  -55 to 175 °C  
      Thermal Resistance, Junction to Ambient  93 °C/W  
      Time, Turn-Off Delay  21 ns  
      Time, Turn-On Delay  9 ns  
      Transconductance, Forward  11 S  
      Type  Dual Power  
      Voltage, Breakdown, Drain to Source  60 V  
      Voltage, Forward, Diode  1.2 V  
      Voltage, Gate to Source  ±20 V  
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