amphenol代理商
专业销售Amphenol（安费诺）全系列产品-英国2号仓库
库存查询
美国1号分类选型新加坡2号分类选型英国10号分类选型英国2号分类选型日本5号分类选型

在本站结果里搜索：    
热门搜索词:  Connectors  8910DPA43V02  Amphenol  UVZSeries 160VDC  70084122  IM21-14-CDTRI

TP0610K-T1-E3 - 

MOSFET; P-Ch; VDSS -60V; RDS(ON) 10 Ohms; ID -185mA; TO-236 (SOT-23); PD 350mW; -55degc

Siliconix / Vishay TP0610K-T1-E3
声明：图片仅供参考，请以实物为准！
制造商产品编号：
TP0610K-T1-E3
仓库库存编号：
70026028
技术数据表：
View TP0610K-T1-E3 Datasheet Datasheet
订购热线： 400-900-3095  0755-21000796, QQ:800152669, Email:sales@szcwdz.com
由于产品数据库庞大，部分产品信息可能未能及时更新，下单前请与销售人员确认好实时在库数量，谢谢合作！

TP0610K-T1-E3产品概述

Features:
  • Halogen-Free According to IEC 61249-2-21 Definition
  • TrenchFET® Power MOSFET: 1.8 V Rated
  • Ultra Low On-Resistance for Increased Battery Life
  • New PowerPAK® Package - Low Thermal Resistance, RthJC - Low 1.07 mm Profile
  • Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC

    Applications:
  • Load/Power Switching in Portable Devices

    • TP0610K-T1-E3产品信息

      Brand/Series  TP Series  
      Channel Mode  Enhancement  
      Channel Type  P  
      Configuration  Single  
      Current, Drain  -115 mA  
      Dimensions  3.04 x 1.4 x 1.02 mm  
      Gate Charge, Total  1.7 nC  
      Length  0.119" (3.04mm)  
      Mounting Type  Surface Mount  
      Number of Elements per Chip  1  
      Number of Pins  3  
      Package Type  TO-236  
      Polarization  P-Channel  
      Power Dissipation  350 W  
      Temperature, Operating, Maximum  +150 °C  
      Temperature, Operating, Minimum  -55 °C  
      Time, Turn-On Delay  20 ns  
      Transconductance, Forward  80 S  
      Typical Gate Charge @ Vgs  1.7 nC @ -15 V  
      Voltage, Breakdown, Drain to Source  -60 V  
      Voltage, Drain to Source  -60 V  
      Voltage, Forward, Diode  -1.4 V  
      Voltage, Gate to Source  ±20 V  
    关键词         

    TP0610K-T1-E3客户还搜索了

    • 参考图片
    • 制造商 / 说明 / 型号 / 仓库库存编号
    • PDF
    • 操作

    TP0610K-T1-E3相关搜索

    Brand/Series TP Series  Siliconix / Vishay Brand/Series TP Series  MOSFET Transistors Brand/Series TP Series  Siliconix / Vishay MOSFET Transistors Brand/Series TP Series   Channel Mode Enhancement  Siliconix / Vishay Channel Mode Enhancement  MOSFET Transistors Channel Mode Enhancement  Siliconix / Vishay MOSFET Transistors Channel Mode Enhancement   Channel Type P  Siliconix / Vishay Channel Type P  MOSFET Transistors Channel Type P  Siliconix / Vishay MOSFET Transistors Channel Type P   Configuration Single  Siliconix / Vishay Configuration Single  MOSFET Transistors Configuration Single  Siliconix / Vishay MOSFET Transistors Configuration Single   Current, Drain -115 mA  Siliconix / Vishay Current, Drain -115 mA  MOSFET Transistors Current, Drain -115 mA  Siliconix / Vishay MOSFET Transistors Current, Drain -115 mA   Dimensions 3.04 x 1.4 x 1.02 mm  Siliconix / Vishay Dimensions 3.04 x 1.4 x 1.02 mm  MOSFET Transistors Dimensions 3.04 x 1.4 x 1.02 mm  Siliconix / Vishay MOSFET Transistors Dimensions 3.04 x 1.4 x 1.02 mm   Gate Charge, Total 1.7 nC  Siliconix / Vishay Gate Charge, Total 1.7 nC  MOSFET Transistors Gate Charge, Total 1.7 nC  Siliconix / Vishay MOSFET Transistors Gate Charge, Total 1.7 nC   Length 0.119" (3.04mm)  Siliconix / Vishay Length 0.119" (3.04mm)  MOSFET Transistors Length 0.119" (3.04mm)  Siliconix / Vishay MOSFET Transistors Length 0.119" (3.04mm)   Mounting Type Surface Mount  Siliconix / Vishay Mounting Type Surface Mount  MOSFET Transistors Mounting Type Surface Mount  Siliconix / Vishay MOSFET Transistors Mounting Type Surface Mount   Number of Elements per Chip 1  Siliconix / Vishay Number of Elements per Chip 1  MOSFET Transistors Number of Elements per Chip 1  Siliconix / Vishay MOSFET Transistors Number of Elements per Chip 1   Number of Pins 3  Siliconix / Vishay Number of Pins 3  MOSFET Transistors Number of Pins 3  Siliconix / Vishay MOSFET Transistors Number of Pins 3   Package Type TO-236  Siliconix / Vishay Package Type TO-236  MOSFET Transistors Package Type TO-236  Siliconix / Vishay MOSFET Transistors Package Type TO-236   Polarization P-Channel  Siliconix / Vishay Polarization P-Channel  MOSFET Transistors Polarization P-Channel  Siliconix / Vishay MOSFET Transistors Polarization P-Channel   Power Dissipation 350 W  Siliconix / Vishay Power Dissipation 350 W  MOSFET Transistors Power Dissipation 350 W  Siliconix / Vishay MOSFET Transistors Power Dissipation 350 W   Temperature, Operating, Maximum +150 °C  Siliconix / Vishay Temperature, Operating, Maximum +150 °C  MOSFET Transistors Temperature, Operating, Maximum +150 °C  Siliconix / Vishay MOSFET Transistors Temperature, Operating, Maximum +150 °C   Temperature, Operating, Minimum -55 °C  Siliconix / Vishay Temperature, Operating, Minimum -55 °C  MOSFET Transistors Temperature, Operating, Minimum -55 °C  Siliconix / Vishay MOSFET Transistors Temperature, Operating, Minimum -55 °C   Time, Turn-On Delay 20 ns  Siliconix / Vishay Time, Turn-On Delay 20 ns  MOSFET Transistors Time, Turn-On Delay 20 ns  Siliconix / Vishay MOSFET Transistors Time, Turn-On Delay 20 ns   Transconductance, Forward 80 S  Siliconix / Vishay Transconductance, Forward 80 S  MOSFET Transistors Transconductance, Forward 80 S  Siliconix / Vishay MOSFET Transistors Transconductance, Forward 80 S   Typical Gate Charge @ Vgs 1.7 nC @ -15 V  Siliconix / Vishay Typical Gate Charge @ Vgs 1.7 nC @ -15 V  MOSFET Transistors Typical Gate Charge @ Vgs 1.7 nC @ -15 V  Siliconix / Vishay MOSFET Transistors Typical Gate Charge @ Vgs 1.7 nC @ -15 V   Voltage, Breakdown, Drain to Source -60 V  Siliconix / Vishay Voltage, Breakdown, Drain to Source -60 V  MOSFET Transistors Voltage, Breakdown, Drain to Source -60 V  Siliconix / Vishay MOSFET Transistors Voltage, Breakdown, Drain to Source -60 V   Voltage, Drain to Source -60 V  Siliconix / Vishay Voltage, Drain to Source -60 V  MOSFET Transistors Voltage, Drain to Source -60 V  Siliconix / Vishay MOSFET Transistors Voltage, Drain to Source -60 V   Voltage, Forward, Diode -1.4 V  Siliconix / Vishay Voltage, Forward, Diode -1.4 V  MOSFET Transistors Voltage, Forward, Diode -1.4 V  Siliconix / Vishay MOSFET Transistors Voltage, Forward, Diode -1.4 V   Voltage, Gate to Source ±20 V  Siliconix / Vishay Voltage, Gate to Source ±20 V  MOSFET Transistors Voltage, Gate to Source ±20 V  Siliconix / Vishay MOSFET Transistors Voltage, Gate to Source ±20 V  
    电话:400-900-3095
    QQ:800152669
    关于我们 | Amphenol简介 | Amphenol产品 | Amphenol产品应用 | Amphenol动态 | 按系列选型 | 按产品规格选型 | Amphenol选型手册 | 付款方式 | 联系我们
    Copyright © 2017 www.amphenol-connect.com All Rights Reserved. 技术支持：电子元器件 ICP备案证书号:粤ICP备11103613号