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Features:

Advanced Process Technology

Ultra Low On-Resistance

175°C Operating Temperature

Fast Switching

Repetitive Avalanche Allowed up to Tjmax

Lead-Free, RoHS Compliant

Automotive Qualified

Applications:

Motor Control

Reverse Battery Protection

Heavy Loads

Brand/Series	HEXFET Series
Capacitance, Input	2170 pF @ 25 V
Channel Type	N
Configuration	Quad Drain, Triple Source
Current, Drain	84 A
Dimensions	5.85 x 5 x 1.17 mm
Height	0.046" (1.17mm)
Length	0.23" (5.85mm)
Mounting Type	Surface Mount
Number of Elements per Chip	1
Number of Pins	8
Package Type	PQFN
Power Dissipation	63 W
Resistance, Drain to Source On	4.6 mΩ
Temperature, Operating, Maximum	+175 °C
Temperature, Operating, Minimum	-55 °C
Temperature, Operating, Range	-55 to +175 °C
Time, Turn-Off Delay	22 ns
Time, Turn-On Delay	6.1 ns
Typical Gate Charge @ Vgs	44 nC @ 10 V
Voltage, Drain to Source	40 V
Voltage, Gate to Source	±20 V
Width	0.197" (5mm)
关键词

Brand/Series HEXFET Series  International Rectifier Brand/Series HEXFET Series  MOSFET Transistors Brand/Series HEXFET Series  International Rectifier MOSFET Transistors Brand/Series HEXFET Series   Capacitance, Input 2170 pF @ 25 V  International Rectifier Capacitance, Input 2170 pF @ 25 V  MOSFET Transistors Capacitance, Input 2170 pF @ 25 V  International Rectifier MOSFET Transistors Capacitance, Input 2170 pF @ 25 V   Channel Type N  International Rectifier Channel Type N  MOSFET Transistors Channel Type N  International Rectifier MOSFET Transistors Channel Type N   Configuration Quad Drain, Triple Source  International Rectifier Configuration Quad Drain, Triple Source  MOSFET Transistors Configuration Quad Drain, Triple Source  International Rectifier MOSFET Transistors Configuration Quad Drain, Triple Source   Current, Drain 84 A  International Rectifier Current, Drain 84 A  MOSFET Transistors Current, Drain 84 A  International Rectifier MOSFET Transistors Current, Drain 84 A   Dimensions 5.85 x 5 x 1.17 mm  International Rectifier Dimensions 5.85 x 5 x 1.17 mm  MOSFET Transistors Dimensions 5.85 x 5 x 1.17 mm  International Rectifier MOSFET Transistors Dimensions 5.85 x 5 x 1.17 mm   Height 0.046" (1.17mm)  International Rectifier Height 0.046" (1.17mm)  MOSFET Transistors Height 0.046" (1.17mm)  International Rectifier MOSFET Transistors Height 0.046" (1.17mm)   Length 0.23" (5.85mm)  International Rectifier Length 0.23" (5.85mm)  MOSFET Transistors Length 0.23" (5.85mm)  International Rectifier MOSFET Transistors Length 0.23" (5.85mm)   Mounting Type Surface Mount  International Rectifier Mounting Type Surface Mount  MOSFET Transistors Mounting Type Surface Mount  International Rectifier MOSFET Transistors Mounting Type Surface Mount   Number of Elements per Chip 1  International Rectifier Number of Elements per Chip 1  MOSFET Transistors Number of Elements per Chip 1  International Rectifier MOSFET Transistors Number of Elements per Chip 1   Number of Pins 8  International Rectifier Number of Pins 8  MOSFET Transistors Number of Pins 8  International Rectifier MOSFET Transistors Number of Pins 8   Package Type PQFN  International Rectifier Package Type PQFN  MOSFET Transistors Package Type PQFN  International Rectifier MOSFET Transistors Package Type PQFN   Power Dissipation 63 W  International Rectifier Power Dissipation 63 W  MOSFET Transistors Power Dissipation 63 W  International Rectifier MOSFET Transistors Power Dissipation 63 W   Resistance, Drain to Source On 4.6 mΩ  International Rectifier Resistance, Drain to Source On 4.6 mΩ  MOSFET Transistors Resistance, Drain to Source On 4.6 mΩ  International Rectifier MOSFET Transistors Resistance, Drain to Source On 4.6 mΩ   Temperature, Operating, Maximum +175 °C  International Rectifier Temperature, Operating, Maximum +175 °C  MOSFET Transistors Temperature, Operating, Maximum +175 °C  International Rectifier MOSFET Transistors Temperature, Operating, Maximum +175 °C   Temperature, Operating, Minimum -55 °C  International Rectifier Temperature, Operating, Minimum -55 °C  MOSFET Transistors Temperature, Operating, Minimum -55 °C  International Rectifier MOSFET Transistors Temperature, Operating, Minimum -55 °C   Temperature, Operating, Range -55 to +175 °C  International Rectifier Temperature, Operating, Range -55 to +175 °C  MOSFET Transistors Temperature, Operating, Range -55 to +175 °C  International Rectifier MOSFET Transistors Temperature, Operating, Range -55 to +175 °C   Time, Turn-Off Delay 22 ns  International Rectifier Time, Turn-Off Delay 22 ns  MOSFET Transistors Time, Turn-Off Delay 22 ns  International Rectifier MOSFET Transistors Time, Turn-Off Delay 22 ns   Time, Turn-On Delay 6.1 ns  International Rectifier Time, Turn-On Delay 6.1 ns  MOSFET Transistors Time, Turn-On Delay 6.1 ns  International Rectifier MOSFET Transistors Time, Turn-On Delay 6.1 ns   Typical Gate Charge @ Vgs 44 nC @ 10 V  International Rectifier Typical Gate Charge @ Vgs 44 nC @ 10 V  MOSFET Transistors Typical Gate Charge @ Vgs 44 nC @ 10 V  International Rectifier MOSFET Transistors Typical Gate Charge @ Vgs 44 nC @ 10 V   Voltage, Drain to Source 40 V  International Rectifier Voltage, Drain to Source 40 V  MOSFET Transistors Voltage, Drain to Source 40 V  International Rectifier MOSFET Transistors Voltage, Drain to Source 40 V   Voltage, Gate to Source ±20 V  International Rectifier Voltage, Gate to Source ±20 V  MOSFET Transistors Voltage, Gate to Source ±20 V  International Rectifier MOSFET Transistors Voltage, Gate to Source ±20 V   Width 0.197" (5mm)  International Rectifier Width 0.197" (5mm)  MOSFET Transistors Width 0.197" (5mm)  International Rectifier MOSFET Transistors Width 0.197" (5mm)