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Brand/Series	HEXFET Series
Capacitance, Input	1320 pF @ 25 V
Channel Mode	Enhancement
Channel Type	N
Configuration	Single
Current, Drain	55 A
Dimensions	6.35 x 5.05 x 0.536 mm
Height	0.021" (0.536mm)
Length	0.250" <1/4> (6.350mm)
Mounting Type	Surface Mount
Number of Elements per Chip	1
Number of Pins	3
Package Type	DirectFET ISOMETRIC MZ
Power Dissipation	2.8 W
Resistance, Drain to Source On	15 mΩ
Temperature, Operating, Maximum	+150 °C
Temperature, Operating, Minimum	-40 °C
Temperature, Operating, Range	-40 to +150 °C
Time, Turn-Off Delay	7.1 ns
Time, Turn-On Delay	19 ns
Transconductance, Forward	22 S
Typical Gate Charge @ Vgs	22 nC @ 10 V
Voltage, Drain to Source	80 V
Voltage, Forward, Diode	1.3 V
Voltage, Gate to Source	±20 V
Width	0.199" (5.05mm)
关键词

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Drain 55 A  MOSFET Transistors Current, Drain 55 A  International Rectifier MOSFET Transistors Current, Drain 55 A   Dimensions 6.35 x 5.05 x 0.536 mm  International Rectifier Dimensions 6.35 x 5.05 x 0.536 mm  MOSFET Transistors Dimensions 6.35 x 5.05 x 0.536 mm  International Rectifier MOSFET Transistors Dimensions 6.35 x 5.05 x 0.536 mm   Height 0.021" (0.536mm)  International Rectifier Height 0.021" (0.536mm)  MOSFET Transistors Height 0.021" (0.536mm)  International Rectifier MOSFET Transistors Height 0.021" (0.536mm)   Length 0.250" <1/4> (6.350mm)  International Rectifier Length 0.250" <1/4> (6.350mm)  MOSFET Transistors Length 0.250" <1/4> (6.350mm)  International Rectifier MOSFET Transistors Length 0.250" <1/4> (6.350mm)   Mounting Type Surface Mount  International Rectifier Mounting Type Surface Mount  MOSFET Transistors Mounting Type Surface Mount  International Rectifier MOSFET Transistors Mounting Type Surface Mount   Number of Elements per Chip 1  International Rectifier Number of Elements per Chip 1  MOSFET Transistors Number of Elements per Chip 1  International Rectifier MOSFET Transistors Number of Elements per Chip 1   Number of Pins 3  International Rectifier Number of Pins 3  MOSFET Transistors Number of Pins 3  International Rectifier MOSFET Transistors Number of Pins 3   Package Type DirectFET ISOMETRIC MZ  International Rectifier Package Type DirectFET ISOMETRIC MZ  MOSFET Transistors Package Type DirectFET ISOMETRIC MZ  International Rectifier MOSFET Transistors Package Type DirectFET ISOMETRIC MZ   Power Dissipation 2.8 W  International Rectifier Power Dissipation 2.8 W  MOSFET Transistors Power Dissipation 2.8 W  International Rectifier MOSFET Transistors Power Dissipation 2.8 W   Resistance, Drain to Source On 15 mΩ  International Rectifier Resistance, Drain to Source On 15 mΩ  MOSFET Transistors Resistance, Drain to Source On 15 mΩ  International Rectifier MOSFET Transistors Resistance, Drain to Source On 15 mΩ   Temperature, Operating, Maximum +150 °C  International Rectifier Temperature, Operating, Maximum +150 °C  MOSFET Transistors Temperature, Operating, Maximum +150 °C  International Rectifier MOSFET Transistors Temperature, Operating, Maximum +150 °C   Temperature, Operating, Minimum -40 °C  International Rectifier Temperature, Operating, Minimum -40 °C  MOSFET Transistors Temperature, Operating, Minimum -40 °C  International Rectifier MOSFET Transistors Temperature, Operating, Minimum -40 °C   Temperature, Operating, Range -40 to +150 °C  International Rectifier Temperature, Operating, Range -40 to +150 °C  MOSFET Transistors Temperature, Operating, Range -40 to +150 °C  International Rectifier MOSFET Transistors Temperature, Operating, Range -40 to +150 °C   Time, Turn-Off Delay 7.1 ns  International Rectifier Time, Turn-Off Delay 7.1 ns  MOSFET Transistors Time, Turn-Off Delay 7.1 ns  International Rectifier MOSFET Transistors Time, Turn-Off Delay 7.1 ns   Time, Turn-On Delay 19 ns  International Rectifier Time, Turn-On Delay 19 ns  MOSFET Transistors Time, Turn-On Delay 19 ns  International Rectifier MOSFET Transistors Time, Turn-On Delay 19 ns   Transconductance, Forward 22 S  International Rectifier Transconductance, Forward 22 S  MOSFET Transistors Transconductance, Forward 22 S  International Rectifier MOSFET Transistors Transconductance, Forward 22 S   Typical Gate Charge @ Vgs 22 nC @ 10 V  International Rectifier Typical Gate Charge @ Vgs 22 nC @ 10 V  MOSFET Transistors Typical Gate Charge @ Vgs 22 nC @ 10 V  International Rectifier MOSFET Transistors Typical Gate Charge @ Vgs 22 nC @ 10 V   Voltage, Drain to Source 80 V  International Rectifier Voltage, Drain to Source 80 V  MOSFET Transistors Voltage, Drain to Source 80 V  International Rectifier MOSFET Transistors Voltage, Drain to Source 80 V   Voltage, Forward, Diode 1.3 V  International Rectifier Voltage, Forward, Diode 1.3 V  MOSFET Transistors Voltage, Forward, Diode 1.3 V  International Rectifier MOSFET Transistors Voltage, Forward, Diode 1.3 V   Voltage, Gate to Source ±20 V  International Rectifier Voltage, Gate to Source ±20 V  MOSFET Transistors Voltage, Gate to Source ±20 V  International Rectifier MOSFET Transistors Voltage, Gate to Source ±20 V   Width 0.199" (5.05mm)  International Rectifier Width 0.199" (5.05mm)  MOSFET Transistors Width 0.199" (5.05mm)  International Rectifier MOSFET Transistors Width 0.199" (5.05mm)