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Benefits:

Advanced Process Technology

Dual N-Channel MOSFET

Ultra Low On-Resistance

175°C Operating Temperature

Repetitive Avalanche Allowed up to Tjmax

Automotive [Q101] Qualified

Lead-Free

Brand/Series	HEXFET Series
Capacitance, Input	255 pF @ 25 V
Channel Mode	Enhancement
Channel Type	N
Configuration	Dual Drain
Current, Drain	3 A
Dimensions	5.00 x 4.00 x 1.50 mm
Gate Charge, Total	10 nC
Height	0.059" (1.5mm)
Length	0.196" (5mm)
Mounting Type	Surface Mount
Number of Elements per Chip	2
Number of Pins	8
Package Type	SO-8
Polarization	N-Channel
Power Dissipation	2.4 W
Resistance, Drain to Source On	200 mΩ
Temperature, Operating	-55 to 150 °C
Temperature, Operating, Maximum	+175 °C
Temperature, Operating, Minimum	-55 °C
Temperature, Operating, Range	-55 to +175 °C
Thermal Resistance, Junction to Ambient	50 °C/W
Time, Turn-Off Delay	15 ns
Time, Turn-On Delay	5.1 ns
Transconductance, Forward	3.4 S
Typical Gate Charge @ Vgs	10 nC @ 10 V
Voltage, Breakdown, Drain to Source	50 V
Voltage, Drain to Source	50 V
Voltage, Forward, Diode	1.2 V
Voltage, Gate to Source	±20 V
Width	0.157" (4mm)
关键词

Brand/Series HEXFET Series  International Rectifier Brand/Series HEXFET Series  MOSFET Transistors Brand/Series HEXFET Series  International Rectifier MOSFET Transistors Brand/Series HEXFET Series   Capacitance, Input 255 pF @ 25 V  International Rectifier Capacitance, Input 255 pF @ 25 V  MOSFET Transistors Capacitance, Input 255 pF @ 25 V  International Rectifier MOSFET Transistors Capacitance, Input 255 pF @ 25 V   Channel Mode Enhancement  International Rectifier Channel Mode Enhancement  MOSFET Transistors Channel Mode Enhancement  International Rectifier MOSFET Transistors Channel Mode Enhancement   Channel Type N  International Rectifier Channel Type N  MOSFET Transistors Channel Type N  International Rectifier MOSFET Transistors Channel Type N   Configuration Dual Drain  International Rectifier Configuration Dual Drain  MOSFET Transistors Configuration Dual Drain  International Rectifier MOSFET Transistors Configuration Dual Drain   Current, Drain 3 A  International Rectifier Current, Drain 3 A  MOSFET Transistors Current, Drain 3 A  International Rectifier MOSFET Transistors Current, Drain 3 A   Dimensions 5.00 x 4.00 x 1.50 mm  International Rectifier Dimensions 5.00 x 4.00 x 1.50 mm  MOSFET Transistors Dimensions 5.00 x 4.00 x 1.50 mm  International Rectifier MOSFET Transistors Dimensions 5.00 x 4.00 x 1.50 mm   Gate Charge, Total 10 nC  International Rectifier Gate Charge, Total 10 nC  MOSFET Transistors Gate Charge, Total 10 nC  International Rectifier MOSFET Transistors Gate Charge, Total 10 nC   Height 0.059" (1.5mm)  International Rectifier Height 0.059" (1.5mm)  MOSFET Transistors Height 0.059" (1.5mm)  International Rectifier MOSFET Transistors Height 0.059" (1.5mm)   Length 0.196" (5mm)  International Rectifier Length 0.196" (5mm)  MOSFET Transistors Length 0.196" (5mm)  International Rectifier MOSFET Transistors Length 0.196" (5mm)   Mounting Type Surface Mount  International Rectifier Mounting Type Surface Mount  MOSFET Transistors Mounting Type Surface Mount  International Rectifier MOSFET Transistors Mounting Type Surface Mount   Number of Elements per Chip 2  International Rectifier Number of Elements per Chip 2  MOSFET Transistors Number of Elements per Chip 2  International Rectifier MOSFET Transistors Number of Elements per Chip 2   Number of Pins 8  International Rectifier Number of Pins 8  MOSFET Transistors Number of Pins 8  International Rectifier MOSFET Transistors Number of Pins 8   Package Type SO-8  International Rectifier Package Type SO-8  MOSFET Transistors Package Type SO-8  International Rectifier MOSFET Transistors Package Type SO-8   Polarization N-Channel  International Rectifier Polarization N-Channel  MOSFET Transistors Polarization N-Channel  International Rectifier MOSFET Transistors Polarization N-Channel   Power Dissipation 2.4 W  International Rectifier Power Dissipation 2.4 W  MOSFET Transistors Power Dissipation 2.4 W  International Rectifier MOSFET Transistors Power Dissipation 2.4 W   Resistance, Drain to Source On 200 mΩ  International Rectifier Resistance, Drain to Source On 200 mΩ  MOSFET Transistors Resistance, Drain to Source On 200 mΩ  International Rectifier MOSFET Transistors Resistance, Drain to Source On 200 mΩ   Temperature, Operating -55 to 150 °C  International Rectifier Temperature, Operating -55 to 150 °C  MOSFET Transistors Temperature, Operating -55 to 150 °C  International Rectifier MOSFET Transistors Temperature, Operating -55 to 150 °C   Temperature, Operating, Maximum +175 °C  International Rectifier Temperature, Operating, Maximum +175 °C  MOSFET Transistors Temperature, Operating, Maximum +175 °C  International Rectifier MOSFET Transistors Temperature, Operating, Maximum +175 °C   Temperature, Operating, Minimum -55 °C  International Rectifier Temperature, Operating, Minimum -55 °C  MOSFET Transistors Temperature, Operating, Minimum -55 °C  International Rectifier MOSFET Transistors Temperature, Operating, Minimum -55 °C   Temperature, Operating, Range -55 to +175 °C  International Rectifier Temperature, Operating, Range -55 to +175 °C  MOSFET Transistors Temperature, Operating, Range -55 to +175 °C  International Rectifier MOSFET Transistors Temperature, Operating, Range -55 to +175 °C   Thermal Resistance, Junction to Ambient 50 °C/W  International Rectifier Thermal Resistance, Junction to Ambient 50 °C/W  MOSFET Transistors Thermal Resistance, Junction to Ambient 50 °C/W  International Rectifier MOSFET Transistors Thermal Resistance, Junction to Ambient 50 °C/W   Time, Turn-Off Delay 15 ns  International Rectifier Time, Turn-Off Delay 15 ns  MOSFET Transistors Time, Turn-Off Delay 15 ns  International Rectifier MOSFET Transistors Time, Turn-Off Delay 15 ns   Time, Turn-On Delay 5.1 ns  International Rectifier Time, Turn-On Delay 5.1 ns  MOSFET Transistors Time, Turn-On Delay 5.1 ns  International Rectifier MOSFET Transistors Time, Turn-On Delay 5.1 ns   Transconductance, Forward 3.4 S  International Rectifier Transconductance, Forward 3.4 S  MOSFET Transistors Transconductance, Forward 3.4 S  International Rectifier MOSFET Transistors Transconductance, Forward 3.4 S   Typical Gate Charge @ Vgs 10 nC @ 10 V  International Rectifier Typical Gate Charge @ Vgs 10 nC @ 10 V  MOSFET Transistors Typical Gate Charge @ Vgs 10 nC @ 10 V  International Rectifier MOSFET Transistors Typical Gate Charge @ Vgs 10 nC @ 10 V   Voltage, Breakdown, Drain to Source 50 V  International Rectifier Voltage, Breakdown, Drain to Source 50 V  MOSFET Transistors Voltage, Breakdown, Drain to Source 50 V  International Rectifier MOSFET Transistors Voltage, Breakdown, Drain to Source 50 V   Voltage, Drain to Source 50 V  International Rectifier Voltage, Drain to Source 50 V  MOSFET Transistors Voltage, Drain to Source 50 V  International Rectifier MOSFET Transistors Voltage, Drain to Source 50 V   Voltage, Forward, Diode 1.2 V  International Rectifier Voltage, Forward, Diode 1.2 V  MOSFET Transistors Voltage, Forward, Diode 1.2 V  International Rectifier MOSFET Transistors Voltage, Forward, Diode 1.2 V   Voltage, Gate to Source ±20 V  International Rectifier Voltage, Gate to Source ±20 V  MOSFET Transistors Voltage, Gate to Source ±20 V  International Rectifier MOSFET Transistors Voltage, Gate to Source ±20 V   Width 0.157" (4mm)  International Rectifier Width 0.157" (4mm)  MOSFET Transistors Width 0.157" (4mm)  International Rectifier MOSFET Transistors Width 0.157" (4mm)