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IRFB3077PBF - 

MOSFET, Power; N-Ch; VDSS 75V; RDS(ON) 2.8Milliohms; ID 210A; TO-220AB; PD 370W; -55de

International Rectifier IRFB3077PBF
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制造商产品编号：
IRFB3077PBF
仓库库存编号：
70017159
技术数据表：
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IRFB3077PBF产品信息

  Brand/Series  HEXFET Series  
  Channel Type  N  
  Configuration  Single  
  Current, Drain  210 A  
  Dimensions  10.67 x 4.83 x 16.51  
  Gate Charge, Total  160 nC  
  Length  0.42" (10.67mm)  
  Mounting Type  Through Hole  
  Number of Elements per Chip  1  
  Number of Pins  3  
  Package Type  TO-220AB  
  Polarization  N-Channel  
  Power Dissipation  370  
  Temperature, Operating, Maximum  +175 °C  
  Time, Turn-On Delay  25 ns  
  Transconductance, Forward  160 sec  
  Typical Gate Charge @ Vgs  160 nC @ 10 V  
  Voltage, Breakdown, Drain to Source  75 V  
  Voltage, Drain to Source  75 V  
  Voltage, Forward, Diode  1.3 V  
  Voltage, Gate to Source  ±20 V  
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