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Brand/Series	HEXFET Series
Channel Mode	Enhancement
Channel Type	N
Configuration	Single
Current, Drain	130 A
Dimensions	10.66 x 4.82 x 9.02 mm
Gate Charge, Total	170 nC
Length	0.419" (10.66mm)
Mounting Type	Through Hole
Number of Elements per Chip	1
Number of Pins	3
Package Type	TO-220AB
Polarization	N-Channel
Power Dissipation	300 W
Resistance, Drain to Source On	7 mΩ
Temperature, Operating, Maximum	+175 °C
Temperature, Operating, Minimum	-55 °C
Time, Turn-Off Delay	68 ns
Time, Turn-On Delay	26 ns
Transconductance, Forward	160 S
Typical Gate Charge @ Vgs	170 nC @ 10 V
Voltage, Breakdown, Drain to Source	100 V
Voltage, Drain to Source	100 V
Voltage, Forward, Diode	1.3 V
Voltage, Gate to Source	±20 V
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• International Rectifier
  MOSFET, Power; N-Ch; VDSS 75V; RDS(ON) 5.9Milliohms; ID 140A; TO-220AB; PD 330W; -55de
  
  型号：IRF3808PBF
  仓库库存编号：70017476
  
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Transistors Dimensions 10.66 x 4.82 x 9.02 mm  International Rectifier MOSFET Transistors Dimensions 10.66 x 4.82 x 9.02 mm   Gate Charge, Total 170 nC  International Rectifier Gate Charge, Total 170 nC  MOSFET Transistors Gate Charge, Total 170 nC  International Rectifier MOSFET Transistors Gate Charge, Total 170 nC   Length 0.419" (10.66mm)  International Rectifier Length 0.419" (10.66mm)  MOSFET Transistors Length 0.419" (10.66mm)  International Rectifier MOSFET Transistors Length 0.419" (10.66mm)   Mounting Type Through Hole  International Rectifier Mounting Type Through Hole  MOSFET Transistors Mounting Type Through Hole  International Rectifier MOSFET Transistors Mounting Type Through Hole   Number of Elements per Chip 1  International Rectifier Number of Elements per Chip 1  MOSFET Transistors Number of Elements per Chip 1  International Rectifier MOSFET Transistors Number of Elements per Chip 1   Number of Pins 3  International Rectifier Number of Pins 3  MOSFET 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Typical Gate Charge @ Vgs 170 nC @ 10 V  International Rectifier Typical Gate Charge @ Vgs 170 nC @ 10 V  MOSFET Transistors Typical Gate Charge @ Vgs 170 nC @ 10 V  International Rectifier MOSFET Transistors Typical Gate Charge @ Vgs 170 nC @ 10 V   Voltage, Breakdown, Drain to Source 100 V  International Rectifier Voltage, Breakdown, Drain to Source 100 V  MOSFET Transistors Voltage, Breakdown, Drain to Source 100 V  International Rectifier MOSFET Transistors Voltage, Breakdown, Drain to Source 100 V   Voltage, Drain to Source 100 V  International Rectifier Voltage, Drain to Source 100 V  MOSFET Transistors Voltage, Drain to Source 100 V  International Rectifier MOSFET Transistors Voltage, Drain to Source 100 V   Voltage, Forward, Diode 1.3 V  International Rectifier Voltage, Forward, Diode 1.3 V  MOSFET Transistors Voltage, Forward, Diode 1.3 V  International Rectifier MOSFET Transistors Voltage, Forward, Diode 1.3 V   Voltage, Gate to Source ±20 V  International Rectifier Voltage, Gate to Source ±20 V  MOSFET Transistors Voltage, Gate to Source ±20 V  International Rectifier MOSFET Transistors Voltage, Gate to Source ±20 V