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IRFBA1405PPBF - 

IRFBA1405PPBF N-channel MOSFET Transistor, 174 A, 55 V, 3-Pin TO-273AA

International Rectifier IRFBA1405PPBF
声明：图片仅供参考，请以实物为准！
制造商产品编号：
IRFBA1405PPBF
仓库库存编号：
70018296
技术数据表：
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IRFBA1405PPBF产品信息

  Brand/Series  HEXFET Series  
  Capacitance, Input  5480 pF @ 25 V  
  Channel Mode  Enhancement  
  Channel Type  N  
  Configuration  Single  
  Current, Drain  174 A  
  Dimensions  11 x 5 x 15 mm  
  Height  0.591" (15mm)  
  Length  0.433" (11mm)  
  Mounting Type  Through Hole  
  Number of Elements per Chip  1  
  Number of Pins  3  
  Package Type  Super-220  
  Power Dissipation  330 W  
  Resistance, Drain to Source On  5 mΩ  
  Temperature, Operating, Maximum  +175 °C  
  Temperature, Operating, Minimum  -55 °C  
  Temperature, Operating, Range  -55 to +175 °C  
  Time, Turn-Off Delay  130 ns  
  Time, Turn-On Delay  13 ns  
  Transconductance, Forward  69 S  
  Typical Gate Charge @ Vgs  170 nC @ 10 V  
  Voltage, Drain to Source  55 V  
  Voltage, Forward, Diode  1.3 V  
  Voltage, Gate to Source  ± 20 V  
  Width  0.197" (5mm)  
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Drain 174 A  MOSFET Transistors Current, Drain 174 A  International Rectifier MOSFET Transistors Current, Drain 174 A   Dimensions 11 x 5 x 15 mm  International Rectifier Dimensions 11 x 5 x 15 mm  MOSFET Transistors Dimensions 11 x 5 x 15 mm  International Rectifier MOSFET Transistors Dimensions 11 x 5 x 15 mm   Height 0.591" (15mm)  International Rectifier Height 0.591" (15mm)  MOSFET Transistors Height 0.591" (15mm)  International Rectifier MOSFET Transistors Height 0.591" (15mm)   Length 0.433" (11mm)  International Rectifier Length 0.433" (11mm)  MOSFET Transistors Length 0.433" (11mm)  International Rectifier MOSFET Transistors Length 0.433" (11mm)   Mounting Type Through Hole  International Rectifier Mounting Type Through Hole  MOSFET Transistors Mounting Type Through Hole  International Rectifier MOSFET Transistors Mounting Type Through Hole   Number of Elements per Chip 1  International Rectifier Number of Elements per Chip 1  MOSFET Transistors Number of Elements per Chip 1  International Rectifier MOSFET Transistors Number of Elements per Chip 1   Number of Pins 3  International Rectifier Number of Pins 3  MOSFET Transistors Number of Pins 3  International Rectifier MOSFET Transistors Number of Pins 3   Package Type Super-220  International Rectifier Package Type Super-220  MOSFET Transistors Package Type Super-220  International Rectifier MOSFET Transistors Package Type Super-220   Power Dissipation 330 W  International Rectifier Power Dissipation 330 W  MOSFET Transistors Power Dissipation 330 W  International Rectifier MOSFET Transistors Power Dissipation 330 W   Resistance, Drain to Source On 5 mΩ  International Rectifier Resistance, Drain to Source On 5 mΩ  MOSFET Transistors Resistance, Drain to Source On 5 mΩ  International Rectifier MOSFET Transistors Resistance, Drain to Source On 5 mΩ   Temperature, Operating, Maximum +175 °C  International Rectifier Temperature, Operating, Maximum +175 °C  MOSFET Transistors Temperature, Operating, Maximum +175 °C  International Rectifier MOSFET Transistors Temperature, Operating, Maximum +175 °C   Temperature, Operating, Minimum -55 °C  International Rectifier Temperature, Operating, Minimum -55 °C  MOSFET Transistors Temperature, Operating, Minimum -55 °C  International Rectifier MOSFET Transistors Temperature, Operating, Minimum -55 °C   Temperature, Operating, Range -55 to +175 °C  International Rectifier Temperature, Operating, Range -55 to +175 °C  MOSFET Transistors Temperature, Operating, Range -55 to +175 °C  International Rectifier MOSFET Transistors Temperature, Operating, Range -55 to +175 °C   Time, Turn-Off Delay 130 ns  International Rectifier Time, Turn-Off Delay 130 ns  MOSFET Transistors Time, Turn-Off Delay 130 ns  International Rectifier MOSFET Transistors Time, Turn-Off Delay 130 ns   Time, Turn-On Delay 13 ns  International Rectifier Time, Turn-On Delay 13 ns  MOSFET Transistors Time, Turn-On Delay 13 ns  International Rectifier MOSFET Transistors Time, Turn-On Delay 13 ns   Transconductance, Forward 69 S  International Rectifier Transconductance, Forward 69 S  MOSFET Transistors Transconductance, Forward 69 S  International Rectifier MOSFET Transistors Transconductance, Forward 69 S   Typical Gate Charge @ Vgs 170 nC @ 10 V  International Rectifier Typical Gate Charge @ Vgs 170 nC @ 10 V  MOSFET Transistors Typical Gate Charge @ Vgs 170 nC @ 10 V  International Rectifier MOSFET Transistors Typical Gate Charge @ Vgs 170 nC @ 10 V   Voltage, Drain to Source 55 V  International Rectifier Voltage, Drain to Source 55 V  MOSFET Transistors Voltage, Drain to Source 55 V  International Rectifier MOSFET Transistors Voltage, Drain to Source 55 V   Voltage, Forward, Diode 1.3 V  International Rectifier Voltage, Forward, Diode 1.3 V  MOSFET Transistors Voltage, Forward, Diode 1.3 V  International Rectifier MOSFET Transistors Voltage, Forward, Diode 1.3 V   Voltage, Gate to Source ± 20 V  International Rectifier Voltage, Gate to Source ± 20 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