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SUB75P03-07-E3 - 

MOSFET; P-Ch; VDSS -30V; RDS(ON) 0.0055Ohm; ID -75A; TO-263; PD 187W; VGS +/-20V; gFS 20

Siliconix / Vishay SUB75P03-07-E3
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制造商产品编号：
SUB75P03-07-E3
仓库库存编号：
70026130
技术数据表：
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SUB75P03-07-E3产品信息

  Brand/Series  SUB Series  
  Current, Drain  -75 A  
  Gate Charge, Total  160 nC  
  Package Type  TO-263  
  Polarization  P-Channel  
  Power Dissipation  187 W  
  Resistance, Drain to Source On  0.0055 Ohm  
  Temperature, Operating, Maximum  +175 °C  
  Temperature, Operating, Minimum  -55 °C  
  Time, Turn-Off Delay  150 ns  
  Time, Turn-On Delay  25 ns  
  Transconductance, Forward  20 S  
  Voltage, Breakdown, Drain to Source  -30 V  
  Voltage, Forward, Diode  -1.2 V  
  Voltage, Gate to Source  ±20 V  
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